LP2998-Q1 用于汽车应用的 DDR 终端稳压器数据手册

LP2998 线性稳压器旨在满足 JEDEC SSTL-2 和 JEDEC SSTL-18 标准 DDR-SDRAM 和 DDR2 内存终止的规范。该器件还支持 DDR3 和 DDR3L VTT 总线端接，带 VDDQ分钟 的 1.35 V。该器件包含一个高速运算放大器，可提供出色的响应 负载瞬变。输出级可防止击穿，同时提供 1.5 A 连续电流 以及 DDR-SDRAM 端接所需的应用中高达 3 A 的瞬态峰值。LP2998 系列 还集成了 VSENSE 引脚，以提供出色的负载调节和 V裁判输出作为芯片组和 DIMM 的参考。

LP2998 的另一个功能是低电平有效关断 （SD） 引脚，提供 Suspend To RAM （STR） 功能。当 SD 被拉低时，VTToutput 将三态 提供高阻抗输出，但是，V裁判将保持活动状态。一 在此模式下，可以通过较低的静态电流获得 SAVINGS ADVANTAGE。
*附件：lp2998-q1.pdf

特性

• AEC-Q100 测试指南，结果如下（SO PowerPAD-8）：
  • 器件 HBM ESD 分类等级 H1C
  • 结温范围 –40°C 至 125°C
• 1.35 V 最小 VDDQ
• 拉电流和吸收电流
• 低输出电压偏移
• 无需外部电阻器
• 线性拓扑
• 挂起到 RAM （STR） 功能
• 外部元件数量少
• 热关断

参数

方框图

1. 概述

LP2998-Q1 是一款线性稳压器，专为满足 JEDEC SSTL-2 和 JEDEC SSTL-18 标准而设计，用于 DDR-SDRAM 和 DDR2 内存的终止。该器件还支持 DDR3 和 DDR3L VTT 总线终止，并具有低输出电压偏移、快速瞬态响应和高电源抑制比等特点。

2. 主要特点

• ‌AEC-Q100 认证‌：适用于汽车应用
• ‌DDR 终止‌：支持 DDR1、DDR2、DDR3 和 DDR3L 内存
• ‌低 V_DDQ‌：最小值为 1.35V
• ‌高速运算放大器‌：提供优秀的负载瞬态响应
• ‌输出阶段‌：可防止穿透，同时提供 1.5A 连续电流和高达 3A 的瞬态峰值电流
• ‌V_SENSE 引脚‌：提供卓越的负载调节
• ‌V_REF 输出‌：作为芯片组和 DIMMs 的参考电压
• ‌低外部组件计数‌：无需外部电阻
• ‌热关断保护‌：防止过热损坏
• ‌挂起至 RAM (STR) 功能‌：通过 SD 引脚实现低功耗模式

3. 应用场景

• ‌汽车信息娱乐系统‌
• ‌工业/医疗设备‌
• ‌FPGA 供电‌

4. 引脚配置与功能

LP2998-Q1 采用 SO PowerPAD-8 封装，主要引脚包括：

• ‌GND‌：接地
• ‌SD‌：关断引脚，低电平有效
• ‌V_SENSE‌：反馈引脚，用于调节 V_TT
• ‌V_REF‌：缓冲内部参考电压输出
• ‌AVIN‌：模拟输入引脚
• ‌PVIN‌：电源输入引脚，专用于输出级
• ‌VTT‌：输出电压，用于连接终止电阻
• ‌EP‌：外露焊盘，热连接，接地

5. 功能描述

• ‌线性稳压器‌：输出 V_TT 能够精确调节至 V_DDQ/2，同时支持源电流和灌电流。
• ‌高速运算放大器‌：提供快速负载瞬态响应。
• ‌分离电源轨‌：模拟电路和功率输出级采用不同的电源轨，降低内部功耗。
• ‌STR 功能‌：SD 引脚拉低时，V_TT 输出三态，但 V_REF 保持激活。

6. 电气特性

• ‌输入电压范围‌：AVIN 为 2.2V 至 5.5V，PVIN 为 0V 至 AVIN
• ‌输出电压‌：V_TT 根据 V_DDQ 调节，例如 V_DDQ = 2.5V 时，V_TT = 1.25V
• ‌负载调节‌：通过 V_SENSE 引脚实现远程负载调节
• ‌静态电流‌：典型值为 500µA
• ‌热关断温度‌：约 165°C

7. 典型应用电路

数据手册中提供了多个典型应用电路，包括 DDR-III、DDR-II、SSTL-2 和 HSTL 应用，以及如何通过反馈电阻进行电平移位。

8. 布局与热设计指南

• ‌输入电容‌：应靠近 PVIN 引脚放置，推荐值为 50µF 电解电容或 10µF 陶瓷电容。
• ‌V_SENSE 引脚‌：应连接到 V_TT 终止总线的中心位置，以提供最佳的负载调节。
• ‌热设计‌：通过多层板设计、过孔和铜皮来优化热性能。

9. 封装与订购信息

LP2998-Q1 提供 SO PowerPAD-8 封装选项，具有 RoHS 环保认证。数据手册中提供了详细的封装尺寸、引脚分配和订购信息。

10. 注意事项

• 在使用期间，应遵守数据手册中提供的绝对最大额定值和推荐操作条件。
• 注意静电放电保护，避免损坏器件。
• 数据手册中的信息仅供参考，实际设计时应进行充分的验证和测试。