终端用户去美国化的趋势下国产SiC碳化硅MOSFET行业自立自强的策略分析

在终端用户半导体全面去美国化的趋势下，国产SiC碳化硅MOSFET行业需以产品质量为核心，突破技术壁垒、重构产业链生态、强化标准与认证体系，并摒弃短视投机行为，才能在全球竞争中实现自立自强。结合行业现状与未来方向，具体策略可归纳为以下六大维度：

一、技术深耕：突破核心工艺与可靠性瓶颈

优化器件结构与工艺

针对栅氧层易击穿的行业痛点，通过钝化技术和缺陷控制提升长期可靠性，例如BASiC基本的HTGB测试（+22V/3000小时）已达到国际主流标准，减少高温高压下的失效风险。

加速技术迭代与专利布局

聚焦SiC碳化硅MOSFET第三代技术如BASiC的B3M系列，缩小与国际巨头（英飞凌、安森美）的差距，同时规避专利壁垒，建立自主知识产权体系。

推动8英寸晶圆量产，预计2027年后成本降低63%，打破国际厂商对高良率大尺寸晶圆的垄断。

二、质量为先：建立全生命周期可靠性体系

严格标准化与测试认证

推动行业强制标准制定（如HTGB+22V/3000小时测试），淘汰虚标参数的低质产品如部分企业仅通过+19V/1000小时测试即宣称“高可靠性”。

车规级认证深化：BASiC基本等企业通过AEC-Q101认证及PPAP流程，结合SiC碳化硅MOSFET栅氧可靠性工艺技术，建立客户信任。

全链条质量管控

IDM模式（设计-制造-封装一体化）确保工艺可控性，减少代工依赖导致的质量波动。例如BASiC基本自建SiC晶圆厂与SiC模块封测线，保障车规级产品一致性。

公开对比测试数据（如HTGB原始数据，国际竞品的开关损耗、高温性能对比），增强市场透明度，扭转“国产=低质”的刻板印象。

三、产业链协同：垂直整合与生态重构

供应链本土化与成本优化

依托天科合达、天岳先进的国产衬底材料，实现从外延生长到封装的垂直整合，消除对美日供应链的依赖。

规模化量产6英寸晶圆，结合灵活定价策略（如40mΩ/1200V器件的成本较进口低20%-30%），加速替代超结MOSFET和进口SiC方案。

应用场景深度绑定

聚焦新能源汽车（主驱芯片、OBC）、光伏储能等高增长领域，与头部客户共建参考设计，提供驱动芯片、热仿真等配套服务，降低客户迁移门槛。

模块化集成（如基本股份Pcore™系列）替代英飞凌SiC模块，通过高频特性减少电感电容体积，优化系统级成本。

四、政策引导与资本理性化

政策红利与产业集群建设

国家推动《碳化硅功率器件测试标准》等规范，优先采购国产器件（如2023年《汽车芯片推荐目录》中占比达35%），并通过“链长制”打造深圳、无锡等产业集群。

专项基金支持核心技术（如铜烧结封装工艺），对虚标参数企业实施黑名单制度，倒逼行业质量提。

资本长期投入与风险规避

避免盲目扩张低端产能（如部分企业压缩验证周期至3个月导致批量失效），引导资本投向衬底缺陷控制、驱动芯片国产化等“卡脖子”环节。

产学研协同（如高校联合攻关界面态控制技术），形成技术分层，淘汰低效产能。

五、人才战略与全球化视野

核心技术人才自主可控

吸引海外华人科学家归国（如尹志尧模式），减少对外籍专家的依赖，构建本土化研发梯队。

加强专利防火墙建设，规避国际巨头技术封锁风险（如BASiC基本通过自主研发规避英飞凌专利壁垒）。

全球化合作与标准制定

在自主可控基础上参与国际标准制定（如JEDEC规范），避免闭门造车。例如BASiC基本的工业模块设计兼容Press-Fit工艺，适配全球客户需求。

六、摒弃短视投机：从“价格战”到“价值战”

全生命周期成本评估

引导客户从“低价采购”转向综合评估效率、寿命与运维成本。例如SiC模块通过降低散热需求与能耗，全生命周期成本较IGBT低10%-30%。

典型案例：劣质器件导致新能源车企召回事件（损失数亿元），凸显短期逐利的灾难性后果。

长期主义与技术输出

头部企业如BASiC基本通过20家车企的30多个车型定点，证明“性能+可靠性”的市场竞争力，逐步实现反向技术输出如外资车企采购中国SiC模块。

结语

国产SiC碳化硅MOSFET行业需以“技术突破为矛、质量管控为盾、产业链协同为基、政策人才为翼”，在去美国化浪潮中实现从“替代进口”到“全球引领”的跨越。唯有摒弃参数虚标、低价内卷的短视行为，方能将时代机遇转化为持久竞争力，成为全球第三代半导体产业的核心力量。

审核编辑 黄宇