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电子发烧友 > 产品频道 > 产品详情

CSD18543Q3A 60V N 沟道 NexFET 功率 MOSFET

数据： CSD18543Q3A 60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 数据表

描述

这款采用3.3mm×3.3mm SON封装的60V，8.1mΩ，NexFET功率MOSFET被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。 /p>

特性

超低Q _g和Q _gd
低导通电阻R _DS（上）
低热阻
雪崩额定值
无铅
符合RoHS环保标准
无卤素
小外形尺寸无引线（SON）3.3mm×3.3mm塑料封装

应用范围

固态继电器开关
直流 - 直流转换
次级侧同步整流器
经隔离转换器主级侧开关< /li>
电机控制

所有商标均为其各自所有者的财产。

参数与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管


VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level

CSD18543Q3A	CSD18534Q5A
60	60
Single	Single
15.6	12.4
9.9	9.8
156	229
11.1	17
1.7	3.5
SON3x3	SON5x6
20	20
2	1.9
60	69
35	50
Yes	Yes

技术文档

数据手册（1）

CSD18543Q3A 60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 数据表

元器件购买 CSD18543Q3A 相关库存

MOSFETs

型号：CSD18543Q3A 封装：VSONP8_3.15X3MM

品牌：TI 描述：MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=35A RDS(ON)=9.9mΩ@10V VSONP8

金额：￥1.56000
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