TPS3840-Q1 具有手动复位和可编程复位时间延迟的汽车高输入电压监控器数据手册

TPS3840-Q1 系列电压监控器或复位 IC 可以在高电压水平下工作，同时在整个 V 电压范围内保持非常低的静态电流DD 系列和温度范围。TPS3840-Q1 提供低功耗、高精度和低传播延迟 （t p_HL = 30 μs（典型值）的

当 VDD 上的电压降至负电压阈值 （V 以下） 时，复位输出信号被置位 它- ） 或当手动复位被拉至低逻辑 （V MR_L ).当 V 时 reset 信号被清除DD 系列上升到 V 以上 它- 加上磁滞 （V IT+ ） 且手动复位 （MR） 浮动或高于 VMR_H和复位时间延迟 （t D ） 过期。复位时间延迟可以通过在 CT 引脚和接地之间连接电容器来编程。对于快速复位，CT pin 可以保持悬空。
*附件：TPS3840-Q1 具有 MR 和可编程延迟功能的汽车级 Nano IQ 电压监控器数据表 .pdf

附加功能：低上电复位电压 （V POR的 ）、用于 MR 和 VDD 的内置抗干扰保护、内置磁滞、低开漏输出泄漏电流 （I LKG（外径） ).TPS3840-Q1 是适用于汽车应用和电池供电/低功耗应用的完美电压监控解决方案。

特性

• 适用于汽车应用
• 符合 AEC-Q100 标准，结果如下：
  • 器件温度等级 1：-40°C 至 +125°C 环境工作温度
  • 器件 HBM ESD 分类 2 级
  • 器件 CDM ESD 分类等级 C7B
• 宽工作电压：1.5 V 至 10 V
  • 使用外部电阻器扩展 Vin 范围
• 纳米电源电流：350 nA（典型值）、700 nA（最大值）
• 固定阈值电压 （V 它- )
  • 阈值范围为 1.6V 至 4.9V，步长为 0.1V
  • 高精度：1%（典型值），1.5%（最大值）
  • 内置磁滞 （V IT+ )
    • 1.6 V < V 它- ≤ 3.0 V = 100 mV（典型值）
    • 3.1 V ≤ V 它- < 4.9 V = 200 mV（典型值）
• 快速启动延迟 （t STRT ）：350 μs（最大值）
• 基于电容器的可编程复位时间延迟：
  • t D ：50 μs（无电容器）至 6.2 s （10 μF）
• /手动复位 （MR)
• 三种输出拓扑：
  • TPS3840DL-Q1：漏极开路、低电平有效 （RESET)
  • TPS3840PL-Q1： 推挽式、低电平有效 （RESET)
  • TPS3840PH-Q1：推挽式，高电平有效 （RESET）
• 封装：5 引脚 SOT-23 （DBV）

参数

方框图

1. 产品概述

• ‌产品名称‌：TPS3840-Q1
• ‌功能‌：具有手动复位（MR）和可编程延迟功能的汽车级Nano IQ电压监控器
• ‌封装‌：5-Pin SOT-23(DBV)

2. 主要特性

• ‌汽车级应用‌：符合AEC-Q100标准，适用于-40°C至+125°C的环境温度
• ‌宽工作电压‌：1.5V至10V，可通过外部电阻扩展输入电压范围
• ‌超低功耗‌：典型供电电流为350nA，最大700nA
• ‌高精度‌：电压阈值准确度±1%（典型值），±1.5%（最大值）
• ‌可编程延迟‌：通过连接外部电容到CT引脚实现复位时间延迟，范围从50µs到6.2秒
• ‌内置迟滞‌：防止噪声引起的误动作
• ‌多种输出拓扑‌：包括开漏（DL）、推挽低电平（PL）和推挽高电平（PH）

3. 应用领域

• ‌汽车应用‌：包括车载娱乐系统、仪表盘、驾驶员监控等
• ‌电池供电设备‌：智能手表、便携式医疗设备等
• ‌遥测控制单元‌：紧急呼叫系统等

4. 功能描述

• ‌电压监控‌：监控VDD电压，当VDD低于设定的负电压阈值（V IT-）时触发复位信号
• ‌手动复位‌：通过拉低MR引脚电平实现手动复位
• ‌可编程延迟‌：复位信号在VDD恢复后保持一段时间（t D），该时间由CT引脚连接的外部电容决定
• ‌输出拓扑‌：提供三种输出类型，满足不同应用需求

5. 电气特性

• ‌工作电压范围‌：1.5V至10V
• ‌阈值电压范围‌：1.6V至4.9V，步长为0.1V
• ‌迟滞电压‌：100mV（V IT-≤3.0V），200mV（V IT->3.0V）
• ‌启动延迟‌：最大350µs
• ‌传播延迟‌：典型值为30µs

6. 封装与尺寸

• ‌封装类型‌：5-Pin SOT-23(DBV)
• ‌尺寸‌：2.90mm x 1.60mm

7. 典型应用

• ‌双轨监控与上电时序‌：监控两个不同电压轨，确保按正确顺序上电
• ‌汽车电瓶监控‌：监控汽车电瓶电压，防止低电压导致的系统故障

8. 布局与设计指南

• ‌旁路电容‌：在VDD引脚附近放置0.1µF至1µF的旁路电容，以减少噪声干扰
• ‌CT引脚电容‌：用于设定复位延迟的外部电容应尽可能靠近CT引脚放置
• ‌MR引脚处理‌：MR引脚可以连接到外部信号源，也可以悬空（内部上拉）