LP5900 是一款能够提供 150mA 输出电流的 LDO。LP5900 器件专为满足射频和模拟电路的要求而设计,具有低噪声、高 PSRR、低静态电流和低线路瞬态响应系数。LP5900 采用新的创新设计技术,无需噪声旁路电容器即可提供一流的器件噪声性能。
该器件设计为与 0.47μF 输入和输出陶瓷电容器配合使用(无需旁路电容器)。
*附件:LP5900 用于射频和模拟电路的 150mA 超低噪声 LDO - 无需旁路电容器数据表.pdf
该器件采用 DSBGA (YZR) 封装和 WSON 封装;该器件还采用超薄 DSBGA (YPF) 封装。有关目前提供的所有电压和封装选项,请参见本数据手册末尾的封装选项附录 (POA)。
特性
- 输入电压范围:2.5 V 至 5.5 V
- 输出电压范围:1.5 V 至 4.5 V
- 采用 0.47μF 陶瓷输入和输出电容器时保持稳定
- 无需噪声旁路电容器
- Logic Controlled Enable
- 热过载和短路保护
- -40°C 至 125°C 工作结温范围
- 输出电流,150 mA
- 低输出电压噪声:6.5 μV
RMS - PSRR,1 kHz 时为 75 dB
- 输出电压容差,±2%
- 病毒零 I
Q(禁用),< 1 μA - 极低 I
Q(启用),25 μA - 启动时间,150 μs
- 低压差:80 mV(典型值)
参数
方框图

1. 基本信息
- 型号:LP5900
- 类型:超低噪声LDO(低压差线性稳压器)
- 输出电流:150mA
- 特色:无需旁路电容器
2. 应用领域
- 射频电路
- 模拟电路
- 便携式设备(如手机、PDA、无线LAN设备)
3. 主要特性
- 输入电压范围:2.5V至5.5V
- 输出电压范围:1.5V至4.5V
- 超低噪声:6.5μV RMS
- 高电源抑制比(PSRR) :75dB @ 1kHz
- 低静态电流:启用时25μA,禁用时<1μA
- 快速启动时间:150μs
- 低压差电压:80mV(典型值)
- 热过载和短路保护
- 工作温度范围:-40°C至125°C
4. 封装选项
- DSBGA(YZR) :1.108mm x 1.083mm(最大)
- WSON:2.50mm x 2.20mm(标称)
- DSBGA(YPF) :极薄封装选项
5. 功能描述
- 无旁路电容器:设计无需外部旁路电容器即可实现低噪声性能
- 逻辑控制使能:通过EN引脚控制稳压器的启用和禁用
- 低噪声设计:内部采用创新设计技术,消除对外部旁路电容器的需求
6. 电气特性
- 输出电压容差:±2%
- 负载调整率:0.001%/mA
- 线性调整率:0.05%/V
- 短路电流限制:300mA
- 输出噪声电压:6.5μV RMS(10Hz至100kHz)
7. 典型应用电路
- 提供了典型应用电路图,显示如何连接输入/输出电容和使能引脚
8. 布局与热管理
- 布局指南:推荐PCB布局实践,包括使用单独的VIN和VOUT地平面
- 热管理:提供热关断保护,防止过热损坏
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