ADRF5023硅SPDT开关，非反射式，9kHz至45GHz技术手册

概述

ADRF5023是一款非反射式、单刀双掷(SPDT)开关，采用硅工艺制造。

ADRF5023的工作频率范围为9 kHz至45 GHz，典型插入损耗为1.7 dB，隔离度为42 dB。该器件的直通路径、端接路径和RF公共端口热切换分别具有30 dBm、24 dBm和30 dBm的RF输入功率处理能力。

ADRF5023需采用3.3 V正电源和−3.3 V负电源供电。该器件采用互补金属氧化物半导体(CMOS)/低压晶体管对晶体管逻辑(LVTTL)兼容控制。

当负电源电压(V SS )接地时，ADRF5023也可在单一正电源电压(V DD )下工作。在此工作条件下，可在降低开关特性、线性度和功率处理性能的同时保持小信号性能。

ADRF5023采用符合RoHS标准的20引脚、3.0 mm × 3.0 mm、基板栅格阵列(LGA)封装，工作温度范围为−40°C至+105°C。

数据表：*附件：ADRF5023硅SPDT开关，非反射式，9kHz至45GHz技术手册.pdf
特性

• 超宽带频率范围：9 kHz 至 45 GHz
• 非反射设计
• 低插入损耗
  • ​18 GHz 时为 0.9 dB
  • ​40 GHz 时为 1.6 dB
  • ​45 GHz 时为 1.7 dB
• 高隔离：​45 GHz 时为 42 dB
• 高输入线性度：
  • 0.1 dB 功率压缩 (P0.1dB)：31 dBm
  • 3 阶交调点 (IP3)：53 dBm
• TCASE = 85°C 时具有高功率处理能力
  • 30 dBm 直通路径
  • 24 dBm 终止路径
  • 30 dBm 热切换（RFC 端口）
• RF 建立时间（0.1 dB 最终 RF 输出）：3.5 μs
• 无低频杂散信号
• 全关闭状态控制
• 正向控制接口：与 CMOS/LVTTL 兼容
• 20 引脚、3.0 mm × 3.0 mm LGA 封装

框图

引脚配置

接口示意图

ADRF5023有两个电源引脚(VDo和Vss)和两个控制引脚(CTRL和EN)。图18显示了电源和控制引脚的外部元件和连接。Voppin和Vss引脚通过一个100pF多层陶瓷电容去耦。器件引脚排列允许去耦电容靠近器件放置。偏置和工作不需要其它外部元件，但当RF线路偏置0 V以外的电压时，RF引脚上的DC隔直电容除外，详情参见“引脚配置和功能描述”部分。

图21显示了参考叠层上从器件RF引脚到50ωCPWG的推荐布局。PCB焊盘与器件焊盘的比例为1:1。接地焊盘绘制为阻焊层定义，信号焊盘绘制为焊盘定义。PCB焊盘的RF走线以相同宽度延伸至封装边缘，并以45°角逐渐变细至RF走线。屏蔽罩还被设计成在没有任何孔径减小的情况下与衬垫相匹配，并且被分成用于桨的多个开口。