概述
ADRF5022是一款非反射式、单刀双掷(SPDT)开关,采用硅工艺制造。
ADRF5022的工作频率范围为100 MHz至45 GHz,典型插入损耗为2.3 dB,隔离度为43 dB。该器件的直通路径、端接路径和RF公共端口热切换分别具有30 dBm、24 dBm和30 dBm的RF输入功率处理能力。
ADRF5022需采用3.3 V正电源和−3.3 V负电源供电。该器件采用互补金属氧化物半导体(CMOS)/低压晶体管对晶体管逻辑(LVTTL)兼容控制。
ADRF5022也可以在单个正电源电压(V DD )下工作,同时负电源电压(V SS )接地。在此工作条件下,可在降低开关特性、线性度和功率处理性能的同时保持小信号性能。有关更多详细信息,请参阅数据手册中的表2。
ADRF5022与ADRF5023低频截止版本引脚兼容,工作频率范围为9 kHz至45 GHz。
ADRF5022采用符合RoHS标准的20引脚、3.0 mm × 3.0 mm、基板栅格阵列(LGA)封装,工作温度范围可为−40°C至+105°C。
数据表:*附件:ADRF5022 100MHz至45GHz硅SPDT非反射式开关技术手册.pdf
应用
- 测试和仪器仪表
- 蜂窝基础设施:5G毫米波
- 军用无线电、雷达和电子对抗(ECM)
- 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)
- 工业扫描仪
特性 - 超宽带频率范围:100 MHz至45 GHz
- 非反射设计
- 低插入损耗
- 1.2 dB(典型值)至18 GHz
- 1.9 dB(典型值)至40 GHz
- 2.3 dB(典型值)至45 GHz
- 高隔离度:43 dB(典型值)至45 GHz
- 高输入线性度
- 0.1 dB功率压缩(P0.1dB):31 dBm
- 三阶交调点(IP3):55 dBm
- T
CASE= 85°C时具有高功率处理能力- 30 dBm(直通路径)
- 24 dBm(端接路径)
- 30 dBm热切换(RFC端口)
- RF建立时间(0.1 dB最终RF输出):30 ns
- 无低频杂散信号
- 全部关断状态控制
- 正控制接口:CMOS/LVTTL兼容
- 20引脚、3.0 mm × 3.0 mm LGA封装
- 与ADRF5023引脚兼容,低频截止版本
框图
引脚配置
接口示意图
ADRF5022有两个电源引脚(VDo和Vss)和两个控制引脚(CTRL和EN)。图18显示了电源和控制引脚的外部元件和连接。voo和Vss引脚通过一个100 pF多层陶瓷电容去耦。器件引脚排列允许去耦电容靠近器件放置。偏置和工作不需要其它外部元件,但当RF线路偏置电压不同于0v时,RF引脚上的DC隔直电容除外,详情参见“引脚配置和功能描述”部分。
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