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开关电源芯片U8623产品介绍

开关电源芯片 来源:开关电源芯片 2025-01-17 15:53 次阅读

超结硅功率MOS在开关电源芯片U8623中对降低EMI(电磁干扰)干扰、增强EMS(电磁抗扰度)抗干扰能力起到了重要作用。在开关电源工作时,超结硅功率MOS的快速开关特性,配合U8623内置的抖频技术,优化了EMI性能。其能够将电磁干扰的能量分散到更宽的频带上,从而降低了在特定频率上的干扰强度,减少了对周边电子设备的影响。例如,在手机充电器中,如果EMI干扰过大,可能会对手机的信号接收、通话质量等产生不良影响。而采用了该超结硅功率MOS的U8623,能有效降低这种干扰,确保充电器在为手机充电时,不会对手机的正常使用造成干扰。

开关电源芯片U8623是一款恒压、恒功率、恒温离线型电流模式PWM电源管理芯片,内置0.85Ω/650V的超结硅功率MOS。U8623具有全负载高效率、低空载损耗、低EMI干扰和高EMS抗干扰、极少外围应用元件等优点。U8623在一定条件下适用于输入电压AC90V-264V的输出功率为22.5 W以内的离线式反激开关变换器,满足VI级能效标准。U8623采用SOP-8并采用单边漏极并联封装增加散热效果。

开关电源芯片U8623脚位名称:

1 GND 芯片内部电路电位基准引脚

2 VCC 芯片内部电路供电引脚

3 FB 输出反馈输脚,芯片 PWM 输出的频率和占空比由FB 和CS 控制

4 CS 电感峰值电流采样输入引脚

5、6、7、8 PD 内置高压功率 MOS 的漏极

开关电源芯片U8623主要特点:

固定 65K 赫兹的开关频率

内置抖频技术优化EMI

根据负载大小自适应多种工作模式包括打嗝模式、绿色节能模式和定频PWM工作模式

内置斜率补偿的峰值电流控制方式

内置过流点补偿优化宽输入电压范围内最大输出功率的一致性

内置前沿消隐技术

低空载待机功耗(<65mW@AC230V)

支持恒压、恒功率、恒温输出

内置软启动技术

内置集成多种自保护功能,包括VCC欠压保护功能(UVLO)、VCC过压保护功能(OVP)、逐周期限流功能(OCP)、恒温输出功能(OTP-L)、CS引脚开路保护功能

同时,开关电源芯片U8623从提高电源转换效率到增强系统稳定性,从适配多种工作模式到满足不同应用场景的严苛需求,都表现出色。应用广泛,性能高效,成本可控!

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原文标题:开关电源芯片U8623解锁超结硅功率MOS管理新境界

文章出处:【微信号:gh_3980db2283cd,微信公众号:开关电源芯片】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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