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腔室压力对刻蚀的影响

中科院半导体所 来源:Tom聊芯片智造 2024-12-17 18:11 次阅读
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本文介绍了腔室压力对刻蚀的影响。

腔室压力是如何调节的?对刻蚀的结果有什么影响?

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什么是腔室压力? 腔室压力是指在刻蚀设备的工艺腔室内的气体压力,通常以托(Torr)或帕斯卡(Pa)为单位。

腔室压力由什么决定的?

1,气体流量越高,压力越大。

2,真空泵排气,泵速越高,腔室压力越低。

腔室压力对于刻蚀的影响

1,离子轰击能量。低压力,分子平均自由程大,离子的碰撞几率小,能量耗散少,故能量高。

2,离子与自由基的比例。低压力时,离子的比例高,有利于物理刻蚀。高压力时,自由基比例高,有利于化学刻蚀。

3,刻蚀均匀性。高压力时,高频碰撞会使气体流速降低,自由基更容易扩散到晶圆表面各处,包括边缘区域,整个晶圆表面接触到的反应物浓度均匀,刻蚀速率趋于一致。

总结 随着腔室压力的提高,刻蚀反应逐渐由物理刻蚀到物理+化学刻蚀到化学刻蚀所转变。

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原文标题:腔室压力对刻蚀有什么影响?

文章出处:【微信号:bdtdsj,微信公众号:中科院半导体所】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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