业界多估NAND Flash价格先降后升，DRAM 热度可望延续

2017 年，整体记忆体产业不论DRAM 或NAND Flash，都度过了一个黄金好年，那么2018 年可否持续荣景呢？

综合目前业界的看法，DRAM 热度可望延续，供不应求态势依旧，但NAND 部分，恐怕就不会那么乐观了，由于大厂3D NAND 良率大跃进，供给过剩问题已经提前在2017 年第四季引爆，至少2018 年上半年恐怕都不会太理想，最快2018 年第二季供需平衡，第三季再度供给吃紧，届时产业由悲转喜。

DRAM 无新增产能

首先就DRAM 部分，以大方向来说，2018 年在Fab 端并无新增产能，顶多就是制程从2X 奈米推进到1X 奈米或是1Y 奈米，带动位元的成长。市调单位集邦科技更直接表示，2018 年各DRAM 厂资本支出计画都倾向保守，新增投片量约5～7％，这些新增产能都来自现有工厂产能的重新规划与制程转进。

此外，集邦也提到，随着智能手机记忆体容量升级，以及伺服器、资料中心需求强劲，2018 年DRAM 需求将成长约20.6％，供给端方面，预估将提升19.6％，为此，就整体面来看，2018 年整体DRAM 产业供需持续吃紧无虞，也因此，2018 年各大DRAM 厂商，包括三星、SK 海力士、美光，甚至是***的南亚科、华邦电持续稳健获利不成问题。

但目前在DRAM 端有两点要留意与观察，第一、虽然2018 年整体DRAM 端无新增Fab 的产能出来，但是三星有意在平泽（Pyeongtaek）兴建第二座12 吋厂，SK 海力士也将在无锡兴建第二座12 吋厂，这两大厂的新厂产能最快2019 年才会开出。

只是韩媒持续报导，三星将在DRAM 端持续扩大产出的消息，不断动摇市场对DRAM 产业的信心。韩媒不断提到，三星在平泽厂区的半导体厂是两层楼建筑，二楼无尘室将近完工，这些空间将投入DRAM 的扩建，但根据记忆体业者的透露，这两层楼中，有一层是投入3D NAND 的扩产，至于另外一层楼中，有意置入月产能五万片的DRAM 产线，只是设备商也透露，三星还没下单采购设备，因此所谓新增五万片的DRAM 产能想在2018 年就开出，真的很困难。

伺服器记忆体合约价续涨

第二个观察点是，DRAM 种类繁多，包括Commodity、Specialty、Mobile、Server 等DRAM，因为彼此间有产能排挤效应，究竟在2018 年，哪几种会最缺，价格涨幅最大，市况还不明朗，因为国际三大DRAM 厂，三星、SK 海力士与美光，尚未揭露2018 年的产品组合。

但市调单位集邦科技已经提前预测，2018 年最缺的会是Server DRAM。集邦认为，资料中心的伺服器需求与日俱增，2018 年伺服器记忆体的成长率将达28.6％，续居记忆体各大产品线之首，带动价格上涨，主要原因包括第一、Intel 与AMD新伺服器平台转换推波助澜，以及第二、北美网络服务业者如Google、Amazon Web Service、Facebook 与Microsoft Azure 在新资料中心建案上的需求。

而光是2018年第一季，伺服器记忆体合约价将再上涨约5～8％，届时主流模组报价方面，一线厂32GB伺服器模组将达300 美元大关，二线厂更会高于此价格，使得2018年第一季度价格将会维持在相对高点。

2018年NAND产业怎么看？业界多估「先下后上」，而与NAND产业连动性最高的群联董事长潘健成估第一季价跌需求增，第二季报价回稳，第三季供不应求。而其实，因3D NAND良率终于快速上升，尤其64/72层3D NAND纷纷量产，并已优先应用于SSD产品线，120GB的SSD在2017年12月中旬就跌破2017年年初的起涨价，通路商开始大举抛货，报价下看30 美元。