0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

SLM07RN10G 美浦森100V N沟道MOSFET

腾震粤电子 2024-09-26 11:19 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

这个功率MOSFET是使用米特克的先进的屏蔽栅MOSFET技术。
这项先进的技术是特别定制的为了最大限度地减少导通状态电阻,提供优越的开关性能优良,并能承受高能脉冲中的冲击雪崩和换向模式。这些设备很好适用于低电压应用,如DC/DC转换器和高效率的电源开关便携式和电池供电产品的管理。

特性
—n通道:100V 96A
R DS(on) type =6.5 mΩ@V GS = 10v
-极低导通电阻rds (ON)
-低十字
-快速切换
100%雪崩测试
改进了dv/dt能力

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 充电
    +关注

    关注

    23

    文章

    1418

    浏览量

    97956
  • MOSFET
    +关注

    关注

    150

    文章

    9448

    浏览量

    229834
  • 开关电源
    +关注

    关注

    6556

    文章

    8686

    浏览量

    495737
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    选型手册:VS320N10AU N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

    威兆半导体推出的VS320N10AU是一款面向100V中压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-247封装,适配中压大电流D
    的头像 发表于 12-12 15:26 62次阅读
    选型手册:VS320<b class='flag-5'>N10</b>AU <b class='flag-5'>N</b> <b class='flag-5'>沟道</b>增强型功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶体管

    选型手册:VS1602GTH N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

    N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(\(V_{DSS}\)):100V,适配中压供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on
    的头像 发表于 12-09 10:43 89次阅读
    选型手册:VS1602GTH <b class='flag-5'>N</b> <b class='flag-5'>沟道</b>增强型功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶体管

    选型手册:VS1602GFH N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

    N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(\(V_{DSS}\)):100V,适配中压供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on
    的头像 发表于 12-09 10:29 127次阅读
    选型手册:VS1602GFH <b class='flag-5'>N</b> <b class='flag-5'>沟道</b>增强型功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶体管

    选型手册:VS1602GMH N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

    威兆半导体推出的VS1602GMH是一款面向100V中压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-263封装,凭借1.9mΩ极致低导通电阻与170A大电流承载能力,适用于中
    的头像 发表于 12-03 09:23 144次阅读
    选型手册:VS1602GMH <b class='flag-5'>N</b> <b class='flag-5'>沟道</b>增强型功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶体管

    选型手册:VSE025N10HS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

    威兆半导体推出的VSE025N10HS是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,具备快速开关特性与高可靠性,适配中压DC/D
    的头像 发表于 12-01 16:36 140次阅读
    选型手册:VSE025<b class='flag-5'>N10</b>HS <b class='flag-5'>N</b> <b class='flag-5'>沟道</b>增强型功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶体管

    深入剖析onsemi NVMFWS004N10MC N沟道功率MOSFET

    在电子工程师的日常设计工作中,MOSFET 作为关键的功率器件,其性能和特性直接影响着整个电路的运行效率和稳定性。今天,我们就来详细剖析 onsemi 推出的 NVMFWS004N10MC 这款 100V、3.9mΩ、138A
    的头像 发表于 12-01 15:35 142次阅读
    深入剖析onsemi NVMFWS004<b class='flag-5'>N10</b>MC <b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>沟道</b>功率<b class='flag-5'>MOSFET</b>

    Onsemi NVMFD027N10MCL双N沟道MOSFET:设计利器解析

    作为电子工程师,在设计电路时,选择合适的MOSFET至关重要。今天就来详细聊聊Onsemi的NVMFD027N10MCL,一款100V、26mΩ、28A的双N
    的头像 发表于 12-01 15:23 151次阅读
    Onsemi NVMFD027<b class='flag-5'>N10</b>MCL双<b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>沟道</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>:设计利器解析

    探索 onsemi NVBLS1D5N10MC:高性能N沟道MOSFET的卓越之选

    在电子工程领域,MOSFET 作为关键的功率开关器件,其性能直接影响到整个电路系统的效率与稳定性。今天,我们就来深入探讨 onsemi 推出的 NVBLS1D5N10MC 这款 100V、1.5mΩ、300A 的单
    的头像 发表于 12-01 14:53 208次阅读
    探索 onsemi NVBLS1D5<b class='flag-5'>N10</b>MC:高性能<b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>沟道</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的卓越之选

    选型手册:VSP004N10MSC-G N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

    威兆半导体推出的VSP004N10MSC-G是一款面向100V中压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,基于VeriMOS®II技术实
    的头像 发表于 11-27 14:48 141次阅读
    选型手册:VSP004<b class='flag-5'>N10MSC-G</b> <b class='flag-5'>N</b> <b class='flag-5'>沟道</b>增强型功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶体管

    选型手册:VSP004N10MS-K N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

    威兆半导体推出的VSP004N10MS-K是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,基于FastMOSII技术实现快速开关与
    的头像 发表于 11-27 14:42 139次阅读
    选型手册:VSP004<b class='flag-5'>N10</b>MS-K <b class='flag-5'>N</b> <b class='flag-5'>沟道</b>增强型功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶体管

    选型手册:VSP003N10HS-G N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

    威兆半导体推出的VSP003N10HS-G是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,支持
    的头像 发表于 11-26 15:13 179次阅读
    选型手册:VSP003<b class='flag-5'>N10HS-G</b> <b class='flag-5'>N</b> <b class='flag-5'>沟道</b>增强型功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶体管

    选型手册:MOT1165G N 沟道功率 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT1165G是一款面向100V中压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借低导通电阻、高频开关特性及高可靠
    的头像 发表于 11-24 14:27 137次阅读
    选型手册:MOT1165<b class='flag-5'>G</b> <b class='flag-5'>N</b> <b class='flag-5'>沟道</b>功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶体管

    PSMN8R9-100BSE N沟道100V,10 mOhm,标准电平MOSFET规格书

    电子发烧友网站提供《PSMN8R9-100BSE N沟道100V,10 mOhm,标准电平MOSFET
    发表于 02-14 15:44 0次下载
    PSMN8R9-<b class='flag-5'>100</b>BSE <b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>沟道</b><b class='flag-5'>100V</b>,<b class='flag-5'>10</b> mOhm,标准电平<b class='flag-5'>MOSFET</b>规格书

    PSMN2R3-100SSE N沟道100V、2.3 mOhm MOSFET规格书

    电子发烧友网站提供《PSMN2R3-100SSE N沟道100V、2.3 mOhm MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
    发表于 02-14 15:42 0次下载
    PSMN2R3-<b class='flag-5'>100</b>SSE <b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>沟道</b><b class='flag-5'>100V</b>、2.3 mOhm <b class='flag-5'>MOSFET</b>规格书

    瑞萨电子推出全新100V大功率MOSFET

    全球领先的半导体解决方案提供商瑞萨电子,近日宣布了一项重要技术创新——基于其全新的MOSFET晶圆制造工艺REXFET-1,成功推出了两款100V大功率N沟道
    的头像 发表于 01-22 17:04 935次阅读