ASML在imec的ITF World 2024大会上宣布,其首台High-NA(高数值孔径)设备已经打破了之前创下的记录,再次刷新了芯片制造密度的标准。
经过进一步调整,ASML已经使用其High-NA EUV机器打印出8nm密集线条,这是专为生产环境设计的机器的密度记录。这一记录超过了该公司在2024年4月初创下的10nm密集线条的记录。
ASML前总裁兼首席技术官Martin van den Brink,目前担任该公司顾问,提出了Hyper-NA(超数值孔径)芯片制造工具的激进方案。
该方案旨在通过进一步扩展High-NA产品线,来打印更小的特征尺寸,从而满足日益增长的芯片性能需求。
Hyper-NA系统将使用相同波长的光,但将NA(数值孔径)扩大到0.75 ,以实现打印更小的特征尺寸。尽管具体的临界尺寸尚未确定,但ASML给出的晶体管时间表显示,它正在从16nm金属间距向10nm扩展。
Martin van den Brink还概述了一项计划,通过大幅提高未来ASML工具的速度到每小时 400到500个晶圆(wph) ,这是目前200 wph峰值的两倍多,从而降低EUV芯片的制造成本。
他还为ASML未来的EUV工具系列提出了一种模块化统一设计,这可能有助于提高生产效率和灵活性。
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