ASML创下新的EUV芯片制造密度记录，提出Hyper-NA的激进方案

ASML在imec的ITF World 2024大会上宣布，其首台High-NA（高数值孔径）设备已经打破了之前创下的记录，再次刷新了芯片制造密度的标准。

经过进一步调整，ASML已经使用其High-NA EUV机器打印出8nm密集线条，这是专为生产环境设计的机器的密度记录。这一记录超过了该公司在2024年4月初创下的10nm密集线条的记录。

ASML前总裁兼首席技术官Martin van den Brink，目前担任该公司顾问，提出了Hyper-NA（超数值孔径）芯片制造工具的激进方案。

该方案旨在通过进一步扩展High-NA产品线，来打印更小的特征尺寸，从而满足日益增长的芯片性能需求。

Hyper-NA系统将使用相同波长的光，但将NA（数值孔径）扩大到0.75 ，以实现打印更小的特征尺寸。尽管具体的临界尺寸尚未确定，但ASML给出的晶体管时间表显示，它正在从16nm金属间距向10nm扩展。

Martin van den Brink还概述了一项计划，通过大幅提高未来ASML工具的速度到每小时 400到500个晶圆（wph） ，这是目前200 wph峰值的两倍多，从而降低EUV芯片的制造成本。

他还为ASML未来的EUV工具系列提出了一种模块化统一设计，这可能有助于提高生产效率和灵活性。