外置OTP及主动降功率功能的PD快充芯片U8733的主要特点有哪些

外置OTP及主动降功率功能的PD快充芯片U8733

深圳银联宝科技最新推出的U8733，是一款30W PD GAN带OTP保护及主动降功率功能的PD快充芯片，与之前推出的集成650V E-GaN快充芯片U8722有所不同，接下来会为小伙们详细讲解下。

PD快充芯片U8733主要特点：

1、集成 700V E-GaN

2、集成高压启动功能

3、超低启动和工作电流，待机功耗 <30mW

4、谷底锁定模式 ， 最高工作频率两档可调(220kHz，130kHz)

5、集成 EMI 优化技术

6、驱动电流分档配置

7、集成恒功率功能

8、外置 OTP 及主动降功率功能

9、集成完备的保护功能：

VDD 过压/欠压保护 (VDD OVP/UVLO)

输出过压/欠压保护 (OVP/UVP)

输入欠压保护 (BOP)

片内过热保护 (OTP)

外置过热保护

逐周期电流限制 (OCP)

异常过流保护 (AOCP)

短路保护 (SCP)

前沿消隐 (LEB)

CS 管脚开路保护

10、封装类型 ESOP-7

PD快充芯片U8733集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV (典型值 6.4V)。EMI性能为高频交直流转换器的设计难点，为此U8733通过DEM管脚集成了驱动电流分档配置功能。如图所示，通过配置 DEM 管脚分压电阻值，可以选择不同档位的驱动电流，进而调节GaN FET的开通速度，系统设计者可以获得最优的EMI性能和系统效率的平衡。具体分压电阻值可参照参数表。

PD快充芯片U8733系列还集成轻载SR应力优化功能，在驱动电流配置为第一、第二、第三档位时，当芯片工作于轻载模式时，将原边开通速度减半，减小空载时SR的Vds应力过冲。



审核编辑：刘清