SK海力士、三星电子：HBM内存供应充足，明年HBM4将量产

据韩国媒体 Hankyung 近日报道，全球存储龙头企业 SK 海力士与三星电子在近期举办的投资者活动上透露，现有的 DRAM 产能中已有两成为 HBM 内存所用。

这类内存的售价远高于主流 DRAM，而由于制作 TSV 工艺的良率问题，对晶圆的消费量更是达到普通内存的 2-3 倍。因此，内存厂商需提高 HBM 产量以应对日益增长的市场需求。

在此背景下，三星电子代表预测，无论是 HBM 还是主流 DRAM（如标准 DDR5），年内价格都不会有明显下滑。SK 海力士也重申，按照现有产能规划，到今年年底，他们已为 2025 年的 HBM 内存产能做好了充分准备。

三星电子方面表示，其 HBM 订单状况与竞争对手相似，目前已全部售出，且预计明年不会出现 HBM 内存供应过剩的现象。同时，该公司还宣布将于明年完成 HBM4 内存的研发工作，并于 2026 年实现量产，并计划在其中引入混合键合技术。

然而，SK 海力士对此持有不同看法，他们认为在 HBM4 内存中采用混合键合的可能性较小。此外，两家公司均对企业级固态硬盘市场保持乐观态度，三星电子代表认为这一领域的需求增长将是长期趋势。