据最新消息,深圳基本半导体有限公司近日获得一项名为“功率模块、封装结构及电子设备” 的新型专利,其编号为 CN117276226B,公示日期为 2024 年 4 月 16 日,提交日期为 2023 年 11 月 1 日。
该专利主要涉及半导体技术领域,提出了一种全新的功率模块、封装结构以及电子设备设计方案。其中,功率模块由绝缘基板和半桥结构组成,半桥结构包含相互间隔的第一负载轨道、第二负载轨道、第一直流负极区域和第二直流负极区域。第一负载轨道由第一上桥臂区域、直流正极区域和第二上桥臂区域依次相连而成;第二负载轨道则由第一下桥臂区域、交流区域和第二下桥臂区域依次相连而成。值得注意的是,第一下桥臂区域位于第一直流负极区域与交流区域之间,第二下桥臂区域则位于第二直流负极区域与交流区域之间。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
半导体技术
+关注
关注
3文章
227浏览量
60516 -
功率模块
+关注
关注
10文章
401浏览量
44705 -
封装结构
+关注
关注
0文章
4浏览量
241
发布评论请先 登录
相关推荐
功率半导体器件:IGBT模块和IPM模块的定义及区别
IGBT模块(Insulated Gate Bipolar Transistor Module)是一种集成了多个IGBT芯片、驱动电路、保护电路等功能的模块化电子元件。它是一种用于高功率
发表于 10-27 11:40
•3527次阅读
长鑫存储“一种控制方法、半导体存储器和电子设备”专利公布
专利据概括,体现了公开的控制方法,半导体存储器,如电子装置,均提供三个测试模式对数据掩码引脚的阻抗被提供的控制战略,均三个测试模式中的数据掩码引脚可以被定义的。
三菱电机开始提供工业设备用NX封装全SiC功率半导体模块样品
三菱电机集团近日(2023年6月13日)宣布,将于6月14日开始提供工业设备用NX封装全SiC功率半导体模块的样品。该
评论