三星电子完成 900 层超高堆叠 3D NAND 闪存原型开发

据韩媒ETNews报道，三星电子宣布利用单元多层键合（CMB） 技术，成功研发全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型，并已验证存储单元正常工作特性，标志着三星在高端存储技术领域实现跨代式领先。

传统3D NAND采用单次连续刻蚀堆叠工艺，受晶圆翘曲、层间对准误差等物理限制，难以突破500层门槛。三星创新的CMB技术，先独立制造两片450层3D NAND晶圆，再通过高精度键合工艺合二为一，直接将堆叠层数翻倍至900层，打破传统工艺的物理瓶颈。

为保障原型良率与稳定性，三星同步攻克多项关键技术：采用上部卡盘（Upper Chuck） 设计解决高层堆叠晶圆翘曲问题；通过新型套刻校正技术将键合对准误差控制在纳米级；优化位线（BL）与字线（WL）结构，在提升存储密度的同时，降低芯片功耗与尺寸。