三安出席EDICON CHINA 2024并展示新一代射频器件制造工艺

EDICON CHINA 2024 （电子设计创新大会）于4月9日-10日在北京会议中心正式举行，暌违三年有余，作为无线通信行业工程师的专业交流平台，大会再次召集了射频、微波以及无线设计行业领域的精英企业，针对当下的通信、消费和航空航天等领域的应用展开讨论和技术分享。三安集成作为三安旗下专注于射频前端器件整合服务提供商，应邀参与大会，并在技术报告会中做出分享。

随着5G演进到Rel.18及更高，推动着射频前端迭代到最新的Phase 8架构，集成度进一步提高。三安新一代的射频器件制造工艺正是针对市场的模组化趋势，能够为客户提供更高性能的解决方案。

射频前端PA器件功放管主要采用HBT工艺，追求在高频工况下，具备高线性度、稳定性和放大效率。三安通过在外延材料及工艺端的改善，发展HP1/HP2工艺，对比起前代的HG6/HG7，在IMD3和PAE均有明显的改善，能够满足在复杂工况下的信号输出稳定需求。同时，配合新一代的铜柱工艺，实现晶圆的轻薄化和良好散热特性，可以减小模组尺寸，缩减客户端成本，并提升系统性能。

三安集成HBT工艺已经覆盖了2/3/4G，Sub-6GHz，以及Wi-Fi 7等无线通信应用，并向着更高频率的应用投入研发资源。PHEMT是三安集成的另一工艺体系，目前已进展到0.1um的工艺节点，可以满足客户在Ka至W波段的高频应用，实现良好的信号强度和低噪声系数。成熟的P25工艺型谱则广泛应用于接收模组和中高功率的手机和基站，新一代P25ED51工艺相比前代在OIP3系数有明显改善，显现出出色的产品竞争力。

三安具备丰富的大规模制造经验，秉持‘客户至上’的精神，为客户和市场提供更高质量的制造服务，帮助客户实现商业成功，共同促进无线通信行业的发展繁荣。

审核编辑：刘清