长鑫存储获半导体器件制备装置及方法专利

据最新天眼查数据显示，长鑫存储技术有限公司近日获得了一项名为“一种半导体器件制备装置及制备方法”的实用新型专利，专利号CN115287630B，授权日期为2024年3月26日，申请时间为2022年8月4日。

这项发明涉及半导体器件制备设备及制备策略，主要包含气体管道、气体优化系统及反应腔室三大组件。其中，气体管道设有多个气体入口管道；在反应腔室内，自上而下依次安置着射频匹配器、气体分配盘、晶圆托盘以及气体排出部分。气体混合优化系统位于反应腔室外，由气体搅拌装置与气体过滤装置组成。气体搅拌装置能确保多路气体均匀分布，气体过滤装置则负责清除混合气体中所含颗粒杂质，使其在PECVD装置反应腔室内多向分布，以提高等离子体的均匀度，进而提升薄膜沉积过程中的膜厚均匀性并降低颗粒产生率。