长鑫存储Q1营收同比暴增719%

长鑫存储近日更新科创板IPO招股书，披露2026年第一季度业绩：营业收入508亿元（约合75亿美元），同比增长719.13%；归母净利润247.62亿元（约合36亿美元），同比增长1688.30%。据Omdia最新数据，长鑫存储全球DRAM市场份额已达7.67%，位居全球第四，仅次于三星、SK海力士和美光。

招股书显示，长鑫存储2026年Q1净利润（含非经常性损益）达330.12亿元，而截至2025年末公司累计亏损为366.50亿元，仅一个季度的盈利便几乎抹平过去九年的全部历史亏损。扣非归母净利润263.41亿元，同比增长1993.41%；经营现金流净额425.66亿元，同比增长超210倍。

回顾过往业绩，长鑫存储2023年亏损192.25亿元，2024年亏损90.51亿元，2025年首次实现全年盈利71.44亿元。2026年仅一个季度，归母净利润已达去年全年的3.5倍。公司预计2026年上半年营收将达1100亿至1200亿元，归母净利润500亿至570亿元。

Omdia数据显示，长鑫存储全球DRAM市场份额持续攀升：2025年Q2约为3.97%，Q3增至约5%，Q4跃升至7.67%。三星、SK海力士、美光三家合计仍占据全球超90%的份额。

产能方面，长鑫存储月产能已接近30万片12英寸晶圆，在合肥、北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂。公司计划2026年扩产5至6万片，并拟通过科创板IPO募资295亿元，投向存储器晶圆制造量产线技术升级及DRAM技术迭代等项目。

长鑫存储在招股书中指出，业绩增长受益于全球算力需求持续增长及主要厂商产能调配带来的供需变化。自2025年下半年起，全球DRAM产品供不应求，合约价连续两个季度上涨超40%，2026年Q1常规DRAM合约价从年初预估的55%至60%升至90%至95%。

本轮存储市场上行由AI算力对高带宽存储的结构性需求驱动，三星、SK海力士、美光将80%以上支出转向HBM和DDR5产线，AI服务器已消耗DRAM总产能的66%，供给缺口预计最早到2027年初缓解。

长鑫存储DDR5内存速率已达8000Mbps，在PC领域拿下超30%市场份额，并正携手华为推进HBM产能与器件合作。

5月19日，长江存储控股股份有限公司启动IPO辅导。长江存储在NAND闪存市场的份额已从2024年Q1的8%攀升至Q4的11%，正持续追赶铠侠、闪迪等厂商。两家中国存储原厂同步推进上市进程，中国存储产业在全球半导体格局中的角色正持续演变。