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MPPT太阳能控制器智能化提升,但别忘记选型170N1F4A场效应管优化电路!

广州飞虹半导体 来源:广州飞虹半导体 2024-04-01 11:34 次阅读
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MPPT太阳能控制器在如今智能化的时代,产品也在不断升级,目前已经越来越多的厂家利用高速运算技术和高效芯片来提升自家产品的转换率。据说德姆达公司研发的产品已经可达转换率提高到98%以上,并具备99%以上的峰值追踪效率。

今天飞虹半导体工程师要提醒的是,除了智能化需要不断提升外,别忘记在电路最基础的MOS管来保障产品的质量提升,毕竟MOS管也是MPPT太阳能控制器的中枢电子元器件

支持国产化的时代,建议要找能代换STP150N10F7、MDP1991、HYG045N10NS1P、HYG042N10NS1P、IPP045N10N3G、SVG104R0NT型号场效应管用于MPPT太阳能控制器电路开发中是工程师中热门话题。

建议可以了解一款170N1F4A型号场效应管,它是一款纯国产MOS管半导体元器件,能够替代STP150N10F7、MDP1991、HYG045N10NS1P、HYG042N10NS1P、IPP045N10N3G、SVG104R0NT型号参数在驱动电路中使用。

目前在国产市场中170N1F4A型号场效应管是能完美在MPPT太阳能控制器中使用,这一点是已经获得众多的电机厂家所认可的。除了最基本的172A、100V参数外,还因其具备优秀的产品特点:

1、RoHS产品

2、SGT工艺

3、100% DVDS测试

4、低栅极电荷

5、低 Crss (典型值 33 pF)

6、开关速度快

7、100%经过 Rg 测试

8、100%经过雪崩测试

9、100%经过热阻测试

10、极低的FOM(RDSON*Qg)

当然除了产品具备的优良特点外,170N1F4A能替代STP150N10F7、MDP1991、HYG045N10NS1P、HYG042N10NS1P、IPP045N10N3G、SVG104R0NT中低压MOS管型号型号其还具备优良的参数:

1、最大脉冲漏极电流(IDM ):480A

2、N 沟道增强型场效应晶体管

3、Vgs(±V):20;VGS(th):2.0-4.0V;

4、ID(A):172A;BVdss(V):100V

5、选用TO-220封装产品可用于控制器电路中

6、反向传输电容:33pF

7、静态导通电阻RDS(on) = 4.4mΩ(MAX) @VGS = 10 V,RDS(on) =3.6mΩ(TYP) @VGS = 10 V

d91be790-ee8b-11ee-a297-92fbcf53809c.png

对于MMPT太阳能控制器中的电路升级想要选择好的MOS管产品应用,建议选用170N1F4A型号场效应管。

飞虹半导体在为电子厂商专业的产品,一站式配齐功率器件的服务,始终站在用户需求出发。

它良好的制作工艺与参数性能给太阳能控制器做更好的适配,保障产品的可靠性。



审核编辑:刘清

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原文标题:MPPT太阳能控制器智能化提升,但别忘记选型170N1F4A场效应管优化电路!

文章出处:【微信号:广州飞虹半导体,微信公众号:广州飞虹半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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