三星力争2030年量产1nm芯片，引入“fork sheet”新结构

在半导体行业的激烈竞争中，三星电子晶圆代工业务部门正全力冲刺，计划在2030年前推出1nm工艺，这一技术被誉为“梦想半导体”工艺，每个计算单元大小仅相当于五个原子。此举目标明确，直指与台积电展开全面技术竞争，巩固自身在下一代半导体市场的领先地位。

1nm工艺不仅实现元件小型化，还将引入“fork sheet”（叉片）新结构。此前2nm工艺采用环栅（GAA）技术，通过将电流路径从三边扩展到四边提升功率效率。而“fork sheet”技术通过在GAA元件间构建电绝缘壁，最大限度缩短元件距离，使相同芯片面积内可放置更多元件。目前占据市场主导地位的台积电也计划在2030年后将该技术引入1nm工艺，三星此举已做好与之同等竞争的准备。

自2019年发布“2030年成为系统半导体第一”愿景以来，三星电子在先进工艺上不断追赶台积电。2019年率先推出7nm极紫外（EUV）光刻工艺，2022年又在3nm工艺中率先采用GAA元件。如今，三星在2nm技术上持续发力，开发“SF2T”定制工艺用于特斯拉2nm AI芯片量产，该芯片2027年起在三星泰勒新晶圆代工厂投产；还加速开发“SF2P”工艺用于新型智能手机应用处理器生产，“SF2P+”工艺也将于明年投入运营。

据半导体行业人士透露，三星2nm工艺的良率已超过60%，生产效率持续攀升，市场对今年实现盈利的预期正逐步走高。从2nm的稳步推进到1nm的雄心勃勃，三星正以技术实力为筹码，在下一代半导体市场的竞争中奋力缩小与台积电的差距。

审核编辑 黄宇