据悉,三星计划将高带宽内存(HBM)研究部门调整至芯片分部下,作为常规化的机构运作。韩国媒体引述知情人士的话报道称,集团内存事业部总裁李正培已下达此番变动指令。如若成行,转型后的办公室将涵盖设计、解决方案等专项HBM研发队伍,旨在稳定良品产量。
这一结构性调整体现出三星对于存储器领域HBM产品间竞争压力的关注。SK海力士已然在HBM3市场夺得先机,并因其在人工智能领域的广泛运用吸引了大量订单。三星的HBM特别小组源自集团芯片分部首席执行官Kyung Kye-hyun的提议。
将特别小组升级为常设办事处则表示三星有意推动在HBM3E市场的主导地位增强,目前其在此领域超越了SK海力士和美光。此外,美光近期也推出了自家的HBM3E产品,共8层堆叠;与此同时,三星也在同日宣布推出12层堆叠版本的HBM3E。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
存储器
+关注
关注
39文章
7714浏览量
170850 -
SK海力士
+关注
关注
0文章
1003浏览量
40982 -
HBM
+关注
关注
2文章
426浏览量
15698 -
HBM3E
+关注
关注
0文章
82浏览量
715
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
GPU猛兽袭来!HBM4、AI服务器彻底引爆!
电子发烧友网报道(文/黄晶晶)日前,多家服务器厂商表示因AI服务器需求高涨拉高业绩增长。随着AI服务器需求旺盛,以及英伟达GPU的更新换代,势必带动HBM供应商的积极产品推进。三星方面HBM3E
传三星 HBM4 通过英伟达认证,量产在即
开始实现大规模生产。这一进展将使得三星参与到下一阶段HBM订单的有力竞争。 三星还在HBM3E上提供了非常具有吸引力的报价,传闻向英伟达提供比SK海力士低20%至30%的报价,
突破堆叠瓶颈:三星电子拟于16层HBM导入混合键合技术
成为了全球存储芯片巨头们角逐的焦点。三星电子作为行业的领军企业,一直致力于推动 HBM 技术的革新。近日有消息传出,三星电子准备从 16 层 HBM 开始引入混合键合技术,这一举措无疑
英伟达认证推迟,但三星HBM3E有了新进展
电子发烧友网综合报道,据韩媒报道,三星电子近期已完成与博通就12层HBM3E产品的质量测试,正就量产供应展开磋商。当前协商的供应量按容量计算约为10亿Gb级别左右,量产时间预计最早从今年下半年延续至
三星Q2净利润暴跌56%:代工遇冷,HBM业务受挫
净利润下滑。 在全球智能手机市场,三星是手机市场的领导品牌,也是存储芯片大厂。但是在AI服务器的HBM市场,三星落后于韩国SK海力士和美光科技。 Futurum统计,全球对HBM的需求
SK海力士HBM技术的发展历史
SK海力士在巩固其面向AI的存储器领域领导地位方面,HBM1无疑发挥了决定性作用。无论是率先开发出全球首款最高性能的HBM,还是确立并保持其在面向AI的存储器市场的领先
今日看点丨英特尔计划裁减高达20%员工;超48亿!面板大厂重磅收购
1. 三星向博通供应HBM3E 芯片,重夺AI 芯片市场地位 据韩媒报道,三星电子将向博通供应第五代高带宽内存(HBM3E),继AMD之
发表于 06-18 10:50
•1677次阅读
三星在4nm逻辑芯片上实现40%以上的测试良率
三星电子在 HBM3 时期遭遇了重大挫折,将 70% 的 HBM 内存市场份额拱手送给主要竞争对手 SK 海力士,更是近年来首度让出了第一大 DRAM 原厂的宝座。这迫使三星在
发表于 04-18 10:52
三星与英伟达高层会晤,商讨HBM3E供应
其高带宽存储器HBM3E产品中的初始缺陷问题,并就三星第五代HBM3E产品向英伟达供应的相关事宜进行了深入讨论。 此次高层会晤引发了外界的广泛关注。据推测,三星8层
三星调整1cnm DRAM设计,力保HBM4量产
据韩国媒体报道,三星电子正面临其第六代1cnm DRAM的良品率挑战,为确保HBM4内存的顺利量产,公司决定对设计进行重大调整。
三星电子将供应改良版HBM3E芯片
三星电子在近期举行的业绩电话会议中,透露了其高带宽内存(HBM)的最新发展动态。据悉,该公司的第五代HBM3E产品已在2024年第三季度实现大规模生产和销售,并在第四季度成功向多家GP
美光加入16-Hi HBM3E内存竞争
领域迈出了重要一步。16-Hi HBM3E内存以其高带宽、低功耗的特性,在数据中心、人工智能、机器学习等领域具有广泛的应用前景。随着技术的不断进步,市场对高性能内存的需求日益增加,美光的加入无疑将加剧市场竞争,推动整个行业的进步
SK海力士加速16Hi HBM3E内存量产准备
近日,SK海力士正全力加速其全球首创的16层堆叠(16Hi)HBM3E内存的量产准备工作。这一创新产品的全面生产测试已经正式启动,为明年初的样品出样乃至2025年上半年的大规模量产与供应奠定了
美光发布HBM4与HBM4E项目新进展
近日,据报道,全球知名半导体公司美光科技发布了其HBM4(High Bandwidth Memory 4,第四代高带宽内存)和HBM4E项目的最新研发进展。 据悉,美光科技的下一代HBM4内存将采用

三星强化HBM工作团队为永久办公室,欲抢占HBM3E领域龙头地位
评论