HBM良率问题影响AI芯片产量

HBM高带宽存储颗料被广泛聚焦于现今最为领先的AI芯片领域。据悉，英伟达的严苛质检给各大存储器制造商带来严峻挑战，相较于常规的DRAM产品，HBM良品率明显偏低。

在以台积电与三星代工为首的诸多企业中，长期以来，保持硅晶圆高效产出的良品率一直是个难题。然而，这个难关如今已经蔓延至HBM行业。

根据最新信息，美光、SK海力士等存储器制造商在英伟达未来的AI GPU资格测试中展开激烈角逐，竞争形势胶着，良品率或成为关键障碍。

据悉，由于HBM制程的复杂性，如多层堆叠和通过硅通孔（TSV）工艺连接小芯片，使得制造过程中出现缺陷的风险加大，一旦发现某一层存在问题，整个堆叠均需废弃，因此提升良率难度重重。

市场数据显示，目前HBM存储器件的总体良率大约预计为65%，其中美光和SK海力士似乎处于有利地位。据了解，美光已经开始为英伟达最新的H200 AI GPU生产HBM3e存储半导体，并且成功通过了Team Green设定的认证阶段。

SK海力士副社长Kim Ki-tae在2月21日的公开信息中强调，尽管外部环境依然存在不确定性，但预计今年内存芯片市场将会逐步回暖，PC、智能手机等应用需求增长，将进一步推动HBM3e及其周边产品的销售。该高管明确表示，公司HBM已全部售罄并已开始为2025年做好了全面准备。