传英伟达自研HBM基础裸片

电子发烧友网综合报道，据台媒消息，传闻英伟达已开始开发自己的HBM基础裸片，预计英伟达的自研HBM基础裸片采用3nm工艺制造，计划在2027年下半年进行小批量试产。并且这一时间点大致对应"Rubin"后的下一代AI GPU "Feynman"。

有分析指出，英伟达此举或是将部分GPU功能集成到基础裸片中，旨在提高HBM和GPU的整体性能。英伟达会将UCIe接口集成到HBM4中，以实现GPU和CPU直接连接。

英伟达可能会在2027年上半年首先采用SK海力士供应的标准HBM4E，然后从2027年下半年至2028年期间过渡到自己的定制HBM4E设计。

英伟达未来的 HBM 内存供应链将采用内存原厂DRAM Die + 英伟达 Base Die 的组合模式。
英伟达自研 Base Die 有助于加强其对 HBM 内存的议价能力，利于向 Base Die 导入一系列高级功能，且能为采用 NVLink Fusion IP 的第三方 ASIC 提供更多模块化组合。

2025年1月初，三星DS部门存储业务部宣布已成功设计出第六代高带宽内存（HBM4）的逻辑芯片。逻辑芯片位于芯片堆栈的底部，是控制HBM芯片的核心组件。三星电子计划采用先进的4nm工艺进行技术升级，计划从逻辑芯片的设计阶段开始寻求优化，以通过其无晶圆厂系统LSI部门最大限度地提高HBM4芯片的性能。

今年4月，SK海力士宣布与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作。双合作开发第六代HBM产品，也就是HBM4，其中台积电负责生产基础裸片（Base Die）。

日前，美光高管表示，定制 HBM 内存将在 HBM4 后的 HBM4E 时代正式落地。从 HBM4 开始 HBM4 内存基础芯片 Base Die 采用逻辑 CMOS 制程，现阶段该芯片主要包含内存接口 IP；而在 HBM4E 世代一些客户希望将 AI xPU 的特定功能电路卸载到 HBM 的 Base Die 中，提升 xPU 的芯片面积利用率，因此需要定制 HBM 内存。

韩国SK海力士高管近日表示，受益于人工智能需求爆发，公司预测到2030年HBM（高带宽内存）芯片市场将以每年30%的速度增长，定制化HBM市场规模有望达到数百亿美元。客户对定制化需求日益增长，部分客户要求特定性能或功耗特性。目前，英伟达等大客户已接受深度定制，而小客户仍采用标准化产品。这种差异化策略成为SK海力士保持市场竞争力的重要因素。

而亚马逊、微软、Alphabet等云计算公司已提出数十亿美元的AI资本支出计划，且未来可能进一步上调，这对HBM市场形成直接利好。Counterpoint分析指出，包括英伟达、亚马逊、微软、博通和美满电子在内，已有七到八家IT厂商在推动HBM定制，预计到2026年HBM4亮相时，定制HBM市场将大幅扩张。例如美满电子与美光、三星和SK海力士合作，为下一代XPU定制HBM方案。