半导体资料丨湿法刻蚀锗，过氧化氢点解刻蚀，Cu电镀

用湿法腐蚀法从块状锗衬底上制备亚10 um厚的锗薄膜

低检测密度的锗薄膜对于研究缺陷密度对基于锗的光学器件（光学探测器、LED和激光器）性能极限的影响至关重要。Ge减薄对Ge基多结太阳能电池也很重要。在本工作中，从蚀刻速率、表面形貌和表面粗糙度方面研究了使用三种酸性H，O溶液（HF、HCl和H，SO）的Ge湿法蚀刻。HCI-H，O，-H，0（1:1:5）被证明可以湿蚀刻535ym厚的体Ge衬底至4.1um，相应的RMS表面粗糙度为10nm，据我们所知，这是通过湿蚀刻方法从体Ge中获得的最薄的Ge flm。

用过氧化氢电解蚀刻锗基板

锗的阳极电解蚀刻已经在过氧化氢蚀刻剂中在受控的外部条件下进行。相对于蚀刻剂组成和搅拌速率，测量并跟踪原位电流和非原位蚀刻深度。发现蚀刻过程中形成的气泡会导致蚀刻电流和表面质量的不均匀性。效果是

在特定的合成空间中最小化。定量分析显示，锗氧化过程中转移的电子数量与去除的表面原子数量呈线性相关。2.77电子/原子的实验结果与先前报道的硅的4电子/原子有显著差异。

不同厚度硅衬底的 Cu 电镀 GaN_AlGaN 高电子迁移率晶体管的热性能

散热是功率器件的一个重要问题。在这项工作中，考虑了热效应对铜电镀GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）性能的影响。使用电学、测温和微拉曼表征技术来关联具有不同厚度的Si衬底（50100150µm）的GaN HEMT的改进的散热对器件性能的影响，包括和不包括额外的电镀Cu层。与裸露的Si衬底相比，电镀Cu on Si（≤50µm）上的GaN HEMT的开/关电流比提高了约400倍（从9.61×105到4.03×108）。特别重要的是，表面温度测量显示，与没有电镀Cu样品的HEMT器件相比，具有电镀铜样品的较薄HEMT器件的沟道温度要低得多。

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审核编辑 黄宇