涉嫌侵犯晶体管专利 意法半导体被判赔3250万美元

美国西德克萨斯州法院陪审员12月5日公布的判决中称，欧洲芯片制造企业st.半导体因侵犯一项晶体管技术专利，应向普渡大学赔偿3250万美元。

该陪审员同意了普度的意见，即电动汽车用充电器及其他产品使用的碳化物金属氧化物半导体电场效果晶体管（mosfet）侵害了高电压电源应用（high power power application）使用的晶体管的专利。

意法半导体的一位发言人说该公司将对判决提出上诉。普渡大学的律师Michael Shore表示，对意法半导体不利的证据是“压倒性的”，到2026年为止，将需要支付1亿美元以上的专利使用费。

据悉，mosfet主要用于电子产品。在2021年，普渡起诉mosfet侵犯了太阳能冷暖房系统、汽车充电站和其他可再生能源产品的两项晶体管技术专利。

普渡大学的专利是一项用于高电压电力应用的半导体和mosfet技术创新，由普渡大学的前教授James Cooper和他的学生asmita saha申请。