罗姆国富工厂将于明年生产8英寸碳化硅晶圆 目标增长35倍
11月上旬，罗姆株式会社社长松本功在财报电话会议上宣布，他们将在日本宫崎县的国富工厂生产8英寸碳化硅晶圆，预计将于2024年开始。
据悉，罗姆于今年7月透过子公司Lapis半导体，与Solar Frontier达成基本协议，收购其国富工厂资产，并将该工厂改造为8英寸SiC晶圆制造工厂。
目前，罗姆在日本共拥有3个SiC基功率半导体生产基地，除国富工厂外，其余2个SiC工厂分别位于福冈、宫崎。
罗姆的目标是到2025财年碳化硅功率半导体收入达到1000亿日元（超过47亿元人民币）；2030财年，SiC产能与2021财年相比将增加35倍。
除了碳化硅，罗姆也在发力氮化镓技术。罗姆早在2006年就开始研发GaN相关产品，并在2021年推出了150V GaN器件技术。
在2023年4月，罗姆公司开始量产650V耐压产品，并在近日推出了2款650V EcoGaN新品。
在今后的发展中，罗姆将继续改进驱动技术和控制技术，并计划在2024年推出一系列新的产品。
罗姆在碳化硅/氮化镓领域还有哪些新动作？他们对第三代半导体关键技术又有哪些展望？EcoGaN和SiC技术又如何赋能新能源市场？
审核编辑：刘清
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
晶圆
+关注
关注
52文章
4530浏览量
126455 -
SiC
+关注
关注
28文章
2443浏览量
61417 -
GaN
+关注
关注
19文章
1767浏览量
68062 -
功率半导体
+关注
关注
22文章
966浏览量
42461 -
碳化硅
+关注
关注
24文章
2437浏览量
47543
原文标题：这个8吋SiC厂明年运行，目标增长35倍
文章出处：【微信号：SiC_GaN，微信公众号：行家说三代半】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
相关推荐
制造商大力加大对碳化硅的投资
已开始安装铸锭设备，预计生产将于 2024 年 12 月或 2025 年 1 月开始。 该工厂将主要生产200mm（8英寸）
晶盛机电6英寸碳化硅外延设备热销，订单量迅猛增长
聚焦碳化硅衬底片和碳化硅外延设备两大业务。公司已掌握行业领先的8英寸碳化硅衬底技术和工艺，量产晶片的核心位错达到行业领先水平。
碳化硅压敏电阻 - 氧化锌 MOV
碳化硅圆盘压敏电阻 |碳化硅棒和管压敏电阻 | MOV / 氧化锌 （ZnO） 压敏电阻 |带引线的碳化硅压敏电阻 | 硅金属陶瓷复合电阻器 |ZnO 块压敏电阻 关于EAK碳化硅压敏
发表于 03-08 08:37
河南第一块8英寸碳化硅SiC单晶出炉！
平煤神马集团碳化硅半导体粉体验证线传来喜讯——实验室成功生长出河南省第一块8英寸碳化硅单晶，全面验证了中宜创芯公司碳化硅半导体粉体在长晶方面的独特优势。
环球晶将加快8英寸碳化硅基板产能建设
环球晶董事长徐秀兰10月26日表示，她2年前错估了客户对8英寸碳化硅（SiC）需求，现在情况超出预期，她强调环球晶将加快8英寸碳化硅基板产能建设，预估
国内碳化硅衬底生产企业盘点
在碳化硅产业链中，碳化硅衬底制造是碳化硅产业链技术壁垒最高、价值量最大的环节，是未来碳化硅大规模产业化推进的核心环节。
碳化硅衬底的
发表于 10-27 09:35
•1112次阅读
安森美半导体完成在韩国全球最大的碳化硅(SiC)制造工厂的扩建
安森美半导体已完成其在韩国富川的全球最大的碳化硅(SiC)制造工厂的扩建。该工厂将能够以峰值产能每年生产超过100万个200毫米SiC晶圆。
三安光电8英寸碳化硅量产加速！
业内人士预测，今年将成为8英寸碳化硅器件的元年。国际功率半导体巨头Wolfspeed和意法半导体等公司正在加速推进8英寸碳化硅技术。在国内市场方面，
安森美韩国富川碳化硅超大型制造工厂正式落成
安森美（onsemi）宣布，其位于韩国富川的先进碳化硅 (SiC) 超大型制造工厂的扩建工程已经完工。全负荷生产时，该晶圆厂每年将能生产超过
罗姆收购Solar Frontier碳化硅工厂 计划到2027碳化硅功率半导体业务达139亿
Frontier公司的原国富工厂。收购计划将于2023年10月完成，2024年开始运营工厂，到2030年将碳化硅产能提升至2021年的
碳化硅8英寸时代倒计时 中国厂商能否搭上“早班车”
碳化硅衬底是碳化硅产业链中成本最高、技术门槛最高的环节之一。近期，受到新能源汽车、光伏和储能等市场的推动，碳化硅厂商纷纷投资建设8英寸晶圆生产
工商网监
评论