【科普小贴士】MOSFET的性能：电容的特性

Ciss、Crss和Coss的电容特性是影响MOSFET开关特性的重要因素。

Ciss：输入电容（Ciss＝Cgd＋Cgs）

⇒栅极-漏极和栅极-源极电容之和：它影响延迟时间；Ciss越大，延迟时间越长。

Crss：反向转移电容（Crss＝Cgd）

⇒栅极-漏极电容：Crss越大，漏极电流上升特性越差，这不利于MOSFET的损耗。高速驱动需要低电容。

Coss：输出电容（Coss＝Cgd＋Cds）

⇒栅极-漏极和漏极-源极电容之和：它影响关断特性和轻载时的损耗。如果Coss较大，关断dv／dt减小，这有利于噪声。但轻载时的损耗增加。

图3-11（a）MOSFET的电容模型

图3-11（b）MOSFET的典型电容特性

文章来源：东芝半导体

审核编辑：汤梓红