【科普小贴士】MOSFET性能改进：RDS(ON)的决定因素

(1)MOSFET器件结构将根据要求的耐受电压来选择。确定导通电阻RDS(ON)的因素如图3-7和方程式3-(1)所示。根据器件的结构，决定导通电阻的因素比例将发生变化。

(2)例如，许多中高压MOSFET(250V及以上)具有平面MOS(π-MOS)结构，而小于200V的产品大多具有沟槽MOS(U-MOS)结构。因此，当耐受电压VDSS=600V时，Rdrift成为主导因素，当耐受电压是30V时，因素Rch的比例较高。

图3-7(a)D-MOS的导通电阻决定因素

图3-7(b)沟槽MOS的导通电阻决定因素

RDS(ON)=Rsub+Rdrift+RJ-FET+Rch+RN+

RDS(ON)=Rsub+Rdrift+Rch+RN+・・・方程式3-(1)

如果是VDSS=600V，顺序为Rdrift >> Rch > RJ-FET，RN+，Rsub和RDS(ON)取决于Rdrift

如果是VDSS=30V，顺序为Rch >> Rdrift > RN+，Rsub。沟槽MOS结构的精细图形化可以最大限度降低RDS(ON)对Rch的依赖性

文章来源：东芝半导体

审核编辑：汤梓红