AOS | 推出首款适用于服务器应用的 eFuse 方案

“服务器和存储等高可靠性系统需要总线保护设计。传统设计使用热插拔控制器和外部分立 FET，然而越来越多的人并不选择这种解决方案，取而代之的是由 eFuse 提供的更紧凑的解决方案。AOS 将 TrenchFET 技术与领先的 IC 设计相结合，可实现紧凑、强壮的 eFuse 方案”。

——AOS 功率 IC 资深市场总监 Peter Cheng

日前，集设计研发，生产和全球销售一体的著名功率半导体及芯片供应商，唯样商城代理品牌Alpha and Omega Semiconductor Limited发布AOS首款 eFuse 方案，可用于服务器应用中的电源保护。AOZ18101DI系列是由紧凑的 3mm x 3mm DFN 封装的 5A eFuse方案，采用 AOS 先进的多芯片封装技术，结合了具有保护功能的高性能 IC 和我们最新的高安全工作区（ SOA）Trench MOSFET。新器件集成了低 RDS(ON) (20mohm) 背靠背 MOSFET，可在 eFuse 关闭时将负载与输入总线隔离。

由于服务器产品的高可靠性要求，所有主路电源均由 eFuse 设备监控和保护，以保护主电源总线不会因故障条件下的异常负载而中断。eFuse 持续监控经过电源开关的电流。如果电流高于设定的限值，eFuse开关会将电流限制在可允许的最大值。如果大电流负载持续存在，将关断内部开关，保护下游器件负载免受损坏，也就是充当半导体保险丝的作用。

AOZ18101DI-01和AOZ18101DI-02集成了真正的反向电流阻断 (TRCB)功能，即当输出电压高于输入电压时，进行反向电流保护。此集成IC可替代现有的通过外部 FET 实现 TRCB 功能的eFuse多分立器件方案，实（找元器件现货上唯样商城）现更高集成度。对于如硬盘驱动器和服务器风扇等具有高电感反冲的负载，AOZ18101DI-03和AOZ18101DI-04禁用了此 TRCB 功能，以避免由于反向电流而关闭输入电源总线。所有器件都具有启动 SOA 管理和其他保护功能，允许系统突然上电或热插入 12V 背板。

技术亮点

工作范围：3.5V 至 14V

22V 最大绝对值

导通阻抗：20mΩ 背靠背 MOSFET

保护功能：可编程过流保护、真正的反向电流阻断（AOZ18101DI-01和AOZ18101DI-02）、欠压闭锁保护、过压保护、热关断保护、可编程软启动、启动 SOA 管理

3mm x 3mm DFN-10L封装

审核编辑 黄宇