0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

Nexperia与京瓷AVX合作为高频电源应用生产新型碳化硅(SiC)整流器模块

光与电子努力加油 来源:jf_72505291 作者:jf_72505291 2023-11-02 09:27 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

Nexperia京瓷AVX合作为高频电源应用生产新型碳化硅(SiC)整流器模块

Nexperia与KYOCERA AVX Components(萨尔茨堡)合作,为高频电源应用生产新型碳化硅(SiC)整流器模块。新型功率器件专为工业电源、电动汽车充电端子和车载充电器等应用而设计。此次发布将进一步深化两家公司之间现有的长期合作伙伴关系。

下一代电源应用的制造商必须优先考虑最小化尺寸和重量。这种新型SiC整流器模块的紧凑尺寸将有助于最大限度地提高功率密度,从而减少所需的电路板空间并降低整体系统成本。

通过顶部冷却 (TSC) 和集成负温度系数 (NTC) 传感器的组合来优化热性能,该传感器可监控设备温度并为设备或系统级预测和诊断提供实时反馈。该整流器模块可在高达 175°C 的结温下工作,并采用低电感封装,便于高频操作。

Nexperia表示,此次合作将尖端的碳化硅半导体与最先进的模块封装相结合,使公司能够更好地满足市场对功率密度极高的电力电子产品的需求。该整流器模块的发布将是Nexperia和京瓷AVX设想的长期碳化硅合作伙伴关系的第一阶段。

Nexperia预计新的SiC整流器模块原型将于2024年第一季度上市。

欢迎联系我们的技术应用工程师0755-82574660,82542001提供原厂技术支持和方案应用支持。

审核编辑 黄宇

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 电源
    +关注

    关注

    185

    文章

    18709

    浏览量

    261374
  • 整流器
    +关注

    关注

    28

    文章

    1652

    浏览量

    95206
  • SiC
    SiC
    +关注

    关注

    32

    文章

    3503

    浏览量

    68120
  • 碳化硅
    +关注

    关注

    25

    文章

    3305

    浏览量

    51714
  • AVX
    AVX
    +关注

    关注

    0

    文章

    38

    浏览量

    1642
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    碳化硅 (SiC) MOSFET 分立器件与功率模块规格书深度解析与应用指南

    倾佳电子碳化硅 (SiC) MOSFET 分立器件与功率模块规格书深度解析与应用指南 倾佳电子(Changer Tech)是一家专注于功率半导体和新能源汽车连接的分销商。主要服务于中
    的头像 发表于 11-24 09:00 301次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b> (<b class='flag-5'>SiC</b>) MOSFET 分立器件与功率<b class='flag-5'>模块</b>规格书深度解析与应用指南

    维也纳整流器技术深度解析:起源、演进与SiC碳化硅应用

    倾佳电子维也纳整流器技术深度解析:起源、演进与SiC碳化硅MOSFET应用 倾佳电子(Changer Tech)是一家专注于功率半导体和新能源汽车连接的分销商。主要服务于中国工业
    的头像 发表于 08-24 18:08 751次阅读
    维也纳<b class='flag-5'>整流器</b>技术深度解析:起源、演进与<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>应用

    基本股份SiC功率模块的两电平全碳化硅混合逆变器解决方案

    倾佳电子(Changer Tech)-专业汽车连接及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管,SiC碳化硅MOSFET
    的头像 发表于 06-24 17:26 416次阅读

    SiC碳化硅MOSFET时代的驱动供电解决方案:基本BTP1521P电源芯片

    倾佳电子(Changer Tech)-专业汽车连接及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管,SiC碳化硅MOSFET
    的头像 发表于 06-19 16:57 1031次阅读
    <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET时代的驱动供电解决方案:基本BTP1521P<b class='flag-5'>电源</b>芯片

    Nexperia碳化硅MOSFET优化电源开关性能

    面对大功率和高电压应用不断增长的需求,Nexperia(安世半导体)正式推出了碳化硅SiC)MOSFET。这些器件具备出色的RDS(on)温度稳定性、超快的开关速度以及超强的短路耐受性,是电动汽车充电基础设施、光伏逆变器以及电
    的头像 发表于 06-14 14:56 1311次阅读
    <b class='flag-5'>Nexperia</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET优化<b class='flag-5'>电源</b>开关性能

    基于SiC碳化硅功率模块的高效、高可靠PCS解决方案

    亚非拉市场工商业储能破局之道:基于SiC碳化硅功率模块的高效、高可靠PCS解决方案 —— 为高温、电网不稳环境量身定制的技术革新 倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC
    的头像 发表于 06-08 11:13 968次阅读
    基于<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>模块</b>的高效、高可靠PCS解决方案

    国产SiC碳化硅功率模块全面取代进口IGBT模块的必然性

    国产SiC模块全面取代进口IGBT模块的必然性 ——倾佳电子杨茜 BASiC基本半导体一级代理倾佳电子(Changer Tech)-专业汽车连接及功率半导体(
    的头像 发表于 05-18 14:52 1192次阅读
    国产<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>模块</b>全面取代进口IGBT<b class='flag-5'>模块</b>的必然性

    国产SiC碳化硅MOSFET在有源滤波(APF)中的革新应用

    倾佳电子(Changer Tech)-专业汽车连接及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管,SiC碳化硅MOSFET
    的头像 发表于 05-10 13:38 744次阅读
    国产<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET在有源滤波<b class='flag-5'>器</b>(APF)中的革新应用

    34mm碳化硅SiC)功率模块应用在电力电子系统的推荐方案

    34mm碳化硅SiC)功率模块应用在电力电子系统推荐方案 倾佳电子(Changer Tech)-专业汽车连接及功率半导体(SiC
    的头像 发表于 05-04 13:23 747次阅读
    34mm<b class='flag-5'>碳化硅</b>(<b class='flag-5'>SiC</b>)功率<b class='flag-5'>模块</b>应用在电力电子系统的推荐方案

    SiC碳化硅MOSFET模块革掉IGBT模块来颠覆电镀电源高频电源行业

    稳定性和高功率密度,解决了IGBT模块在电镀和高频电源中的瓶颈问题。随着技术成熟和成本下降,SiC将全面取代IGBT,推动电源行业向更高效、
    的头像 发表于 04-12 13:23 745次阅读
    <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET<b class='flag-5'>模块</b>革掉IGBT<b class='flag-5'>模块</b>来颠覆电镀<b class='flag-5'>电源</b>和<b class='flag-5'>高频</b><b class='flag-5'>电源</b>行业

    博世碳化硅功率模块生产基地落成

    近日,博世汽车电子中国区(ME-CN)在苏州五厂建成碳化硅SiC)功率模块生产基地,并于2025年1月成功下线首批产品。这标志着博世在全球碳化硅
    的头像 发表于 03-06 18:09 1069次阅读

    高频感应电源国产SiC碳化硅模块替代英飞凌IGBT模块损耗计算对比

    倾佳电子杨茜以50KW高频感应电源应用为例,分析BASiC基本股份国产SiC模块替代英飞凌IGBT模块损耗计算对比: 倾佳电子杨茜致力于推动
    的头像 发表于 02-10 09:41 853次阅读
    <b class='flag-5'>高频</b>感应<b class='flag-5'>电源</b>国产<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>模块</b>替代英飞凌IGBT<b class='flag-5'>模块</b>损耗计算对比

    高频电镀电源国产SiC碳化硅模块替代富士IGBT模块损耗对比

    倾佳电子杨茜以50KW高频电镀电源应用为例,分析BASiC基本股份国产SiC碳化硅模块替代富士IGBT
    的头像 发表于 02-09 20:17 995次阅读
    <b class='flag-5'>高频</b>电镀<b class='flag-5'>电源</b>国产<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>模块</b>替代富士IGBT<b class='flag-5'>模块</b>损耗对比

    SiC碳化硅MOSFET功率模块在工商业储能变流器PCS中的应用

    *附件:国产SiC碳化硅MOSFET功率模块在工商业储能变流器PCS中的应用.pdf
    发表于 01-20 14:19

    什么是MOSFET栅极氧化层?如何测试SiC碳化硅MOSFET的栅氧可靠性?

    随着电力电子技术的不断进步,碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐,成为高功率、高频应用中的首选。作为碳化硅MOSFET器件的重要组成部分,栅极氧化层对器件的整体性
    发表于 01-04 12:37