SK海力士开发“最佳性能”HBM3E

来源：半导体芯科技编译

以“业界顶尖性能”推动人工智能技术创新的产品将从2024年1月起开始量产。

SK海力士已开发出HBM3E1，是目前用于人工智能应用的下一代最高规格DRAM，并表示客户的样品评估正在进行中。

该公司表示，HBM3E（HBM3的扩展版本）的成功研发得益于其作为业界唯一的HBM3大规模供应商的经验。凭借作为业界最大HBM产品供应商的经验和量产准备水平，SK海力士计划从明年上半年开始量产HBM3E，巩固其在AI内存市场独特的领导地位。

该公司表示，最新产品不仅可满足业界最高的速度标准（AI内存产品的关键规格），而且还可满足包括容量、散热和用户友好性在内的所有类别。

在速度方面，HBM3E每秒可处理高达1.15TB的数据，相当于每秒处理230多部5GB大小的全高清电影。

此外，最新产品上采用了先进的批量回流模制底部填充（MR-MUF2）尖端技术，将其散热性能提高了10%。产品还支持向后兼容，甚至可以将最新产品应用于为HBM3准备的系统上，无需修改设计或结构。

审核编辑：汤梓红