
随着电力电子技术不断进步,产业的持续升级,学习最新技术,掌握行业动态在这个快速发展的电源行业中的尤为重要。
本次会议将以高性能开关电源设计主题开展,深入探讨功率器件,DCDC变换,测试测量等热门话题,邀请北理工,中科院的专家教授与国内外知名企业技术工程师共同探讨电源电子领域的前沿理论以及最佳实践。Pintech品致诚邀您参加4月8日于北京天健宾馆(1F会议厅)举办的高性能开关电源设计与第三代半导体技术研讨会。
演讲嘉宾
Pintech

宁圃奇
中国科学院电工研究所
主要从事高温碳化硅器件封装开发、高功率密度全碳化硅变频器研究、高效冷却等方面的工作,发表EI检索论文近百篇,包括17篇SCI检索论文,并申请专利9项。分别以课题负责人、任务负责人和项目负责人身份承担科技部重点研发计划、863计划、中科院重点研究等项目10项。
郭志强
北京理工大学
研究方向高效率电力电子变换及其全数字控制 储能系统及双向DC-DC变换器 新能源发电、微电网中的电力电子技术等授权及出版多项国家发明专利及专著。

大会日程
Pintech

会议时间
Pintech
会议时间:2023年4月8日
会议地址:北京天健宾馆 北京西城区西四南大街62号

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
电源
+关注
关注
185文章
19048浏览量
265091 -
半导体
+关注
关注
339文章
31480浏览量
267656
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
碳化硅 VS 氮化镓:第三代半导体的“双雄对决”
以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体,正凭借更高的耐压、更低的损耗和更高的工作频率,逐步取代传统硅器件,成为电源系统的“新引擎”。然而,两者虽同属宽禁带半导体,却在
博世第三代碳化硅芯片:性能跃升20%,重构电动汽车效率新标杆
2026年4月,博世正式推出第三代碳化硅芯片,以“综合性能提升20%”为核心突破,通过全球产能布局与技术革新,为电动汽车电驱系统注入高效能量
深圳市萨科微slkor半导体有限公司是宋仕强于2015年在深圳市华强北成立,当时掌握了行业领先的第三代半导体
深圳市萨科微slkor半导体有限公司是宋仕强于2015年在深圳市华强北成立,当时掌握了行业领先的第三代半导体碳化硅材料的肖特基二极管和碳化硅mos管的生产技术,开启了在
发表于 01-31 08:46
高频交直流探头在第三代半导体测试中的应用
高频交直流探头基于法拉第电磁感应原理,具备高带宽、高精度和高分辨率,适用于第三代半导体器件的动态特性、栅极电流测量及开关损耗计算。
上海永铭:第三代半导体落地关键,如何为GaN/SiC系统匹配高性能电容解决方案
AMEYA360代理品牌:上海永铭第三代半导体落地关键,如何为GaN/SiC系统匹配高性能电容解决方案 引言:氮化镓(GaN)与碳化硅(SiC)
第三代半导体半桥上管电压电流测试方案
在第三代半导体器件的研发与性能评估中,对半桥电路上管进行精确的电压与电流参数测试,是优化电路设计、验证器件特性的关键环节。一套科学、可靠的测试方案可为技术开发提供坚实的数据支撑,加速
CINNO出席第三代半导体产业合作大会
10月25日,第三代半导体产业合作大会在盐城高新区召开。省工业和信息化厅二级巡视员余雷、副市长祁从峰出席会议并致辞。盐都区委书记马正华出席,盐都区委副书记、区长臧冲主持会议。
基本半导体B3M平台深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技术与应用
基础,将其定位为平面栅碳化硅(SiC)MOSFET技术的一次重要演进,其目标不仅在于追赶,更在于在特定性能维度上超越市场现有成熟方案。 1.1 第三代(B3M)平台概述 B3M系列是基本半导体
电镜技术在第三代半导体中的关键应用
第三代半导体材料,以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表,因其在高频、高效率、耐高温和耐高压等性能上的卓越表现,正在成为半导体领域的重要发展方向。在这些材料的制程中,电镜
Pintech品致诚邀您参加4月8日于北京举办的高性能开关电源设计与第三代半导体技术研讨会
评论