国芯思辰｜基本半导体碳化硅MOS B1M080120HK助力光伏逆变器升压电路设计

如下图为典型的光伏逆变器框图。该光伏逆变器设计主要由BOOST电路和逆变电路组成。

BOOST电路的功率器件通常选择IGBT单管和SiC二极管搭配使用。为了提高功率密度，需要BOOST开关频率越高，因为这样可以降低BOOST电感体积，提高功率密度，由于IGBT的开关频率受制于开关速度和拖尾电流等因素，其开关频率一般不超过20kHz，如果开关频率过高的话，会导致开关损耗太大，发热量剧增而损坏。因此，要想进一步提高开关频率，需要选择开关速度快、损耗低的SIC MOSFET作为功率开关，下面我们提到基本半导体的SIC MOSFET B1M080120HK。

B1M080120HK技术优势如下：

1、采用自带独立驱动源引脚的TO-247-4封装，可有效消除电压降对源极封装寄生电感的影响，可以最大限度地减少门极振荡从而减少光伏系统损耗；

2、在Tc=25℃条件下，80mΩ导通电阻+56nC总栅极电荷，具有更低的导通损耗和开关损耗特性；同时，在高温Tc=150℃条件下，仍可维持较低的导通电阻（典型值为103mΩ），器件的开启延迟时间为15ns，关闭延迟时间为42ns，具有快速开关能力，可满足用户高速开关的需求。因此在提高工作效率的同时降低了光伏系统的冷却需求；

3、 反向传输电容低至15pF，可有效抑制开关噪声，改善Vge波形振铃，避免关断期间因栅极振动过大出现误导通现象，保证了光伏系统的稳定性。

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