一、引言
碳化硅外延片作为功率半导体器件的核心材料,其总厚度偏差(TTV)是衡量产品质量的关键指标,直接影响器件的性能与可靠性 。外延片的 TTV 厚度受多种因素影响,其中生长工艺参
发表于 09-18 14:44
•563次阅读
随着全球对能源效率和可持续发展的关注日益加深,碳化硅(SiC)功率器件作为一种新兴的半导体材料,正在快速崛起。SiC以其优异的电气性能、高温稳定性和抗辐射性,成为现代电力电子技术中不可或缺的重要组成部分。本文将探讨
发表于 09-03 17:56
•1322次阅读
碳化硅是第三代半导体典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有着高击穿场强和高热导率的优势,在高压、高频、大功率的场景下更适用。碳化硅的晶体结构稳定,哪怕是在超过300℃的高温环境下,打破了传统材料下
发表于 08-27 16:17
•1113次阅读
01衬底碳化硅衬底是第三代半导体材料中氮化镓、碳化硅应用的基石。碳化硅衬底以碳化硅粉末为主要原材料,经过晶体生长、晶锭加工、切割、研磨、抛光
发表于 07-15 15:00
•863次阅读
新品EasyDUAL1B和2B,1200V共发射极IGBT模块EasyDUAL1B,2B1200V共发射极模块采用成熟的TRENCHSTOPIGBTT7和Emcon7芯片技术,电流等级
发表于 05-13 17:04
•1222次阅读
随着全球对绿色能源和高效能电子设备的需求不断增加,宽禁带半导体材料逐渐进入了人们的视野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到广泛关注。碳化硅功率器件在电力电子、可再生能源以及电动汽车等领域的应用不断拓展,成为现代电子
发表于 04-21 17:55
•1001次阅读
在现代电子技术飞速发展的背景下,功率器件的性能和效率面临着越来越高的要求。碳化硅(SiC)作为一种新兴的宽禁带半导体材料,凭借其优异的电气特性和热性能,逐渐成为功率电子
发表于 04-09 18:02
•1163次阅读
结合国产碳化硅功率半导体市场的竞争格局和技术发展趋势,SiC碳化硅二极管公司已经成为国产碳化硅功率器件
发表于 02-28 10:34
•681次阅读
)功率器件,成为电力电子领域的核心技术之一。本文将详细介绍碳化硅功率器件的基本特性、主要类型、应用领域、市场前景以及未来发展趋势。
发表于 02-25 13:50
•1482次阅读
多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉积方面各具特色。多晶碳化硅以其广泛的衬底适应性、制造优势和多样的沉积技术而著称;而非晶碳化硅则以其极低的沉积
发表于 02-05 13:49
•1799次阅读
碳化硅(SiC)作为一种宽禁带半导体材料,因其耐高压、耐高温、高开关速度和高导热率等优良特性,在新能源、光伏发电、轨道交通和智能电网等领域得到广泛应用。然而,碳化硅功率器件在高密度和高
发表于 02-03 14:22
•1173次阅读
碳化硅(SiC)功率器件因其低内阻、高耐压、高频率和高结温等优异特性,在电力电子系统中得到了广泛关注和应用。然而,要充分发挥SiC器件的性能,封装技
发表于 02-03 14:21
•1184次阅读
碳化硅(SiC)在半导体中扮演着至关重要的角色,其独特的物理和化学特性使其成为制作高性能半导体器件的理想材料。以下是碳化硅在半导体中的主要作用及优势: 一、
发表于 01-23 17:09
•2431次阅读
随着电力电子技术的不断进步,碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐,成为高功率、高频应用中的首选。作为碳化硅MOSFET器件
发表于 01-04 12:37
近年来,随着碳化硅技术的不断成熟,行业对碳化硅功率器件的应用需求正日益趋向多样化、集成化及轻量化。碳化硅功率
发表于 12-12 11:45
•1171次阅读
评论