​安森德N沟道MOS ASDM100R066NQ用于5G小基站

5G小基站是实现5G网络覆盖的关键组成部分，一般应用在流量需求大的热点区域，如大型商场等。目前各运营商都在进行5G基础设施，未来将实现5G网络环境的覆盖，极大地改善人们的使用体验。

5G小基站的设计中，当然也离不开传统的功率器件的需求，例如大电流的MOS管等。本文推荐安森德的N沟道MOS ASDM100R066NQ，应用在小基站的设计中，耐压可以达到100V，导通电流达到68A。

ASDM100R066NQ用在5G小基站的设计中有以下特点：

1、导通电阻5.9mΩ，采用了先进的沟槽技术和设计，能够提供非常低的导通电阻，有利于产品整体设计。

2、漏极饱和电流为68A，最大脉冲电流可以达到140A，可以满足大电流应用的设计。

3、零栅压漏极电流为1μA，有利于产品低功耗的设计。

4、耗散功率最大为108W。

5、工作结温和存储温度范围为-55℃至155℃，可以满足小基站设计的环境要求。

6、采用DFN5X6-8的封装，散热性能好，占用空间小。

总的来说，安森德ASDM100R066NQ应用稳定，具有高功率密度、输出线性好、能效高、温升低等优势，不仅能够从参数各方面适用于5G小基站，而且在使用方面还能完美替代ST的STB100N10F7场效应管。