安森德P沟道 MOS ASDM60P25KQ替代万代AOD407、台湾微碧2SJ601-Z

安森德推出的P沟道沟槽式MOS管ASDM60P25KQ，具有超低的Qgd，通过了100%雪崩测试，安全性能较好，可替代万代的AOD407和台湾微碧(VBsemi)的2SJ601-Z，广泛运用于LED灯、电源、玩具、雾化器等产品上。

电气特性方面，ASDM60P25KQ的漏源击穿电压的最小值为-60V。零栅极电压漏极电流最大仅-1uA（25℃）。漏源导通电阻最大仅60mΩ（VGS=-10V）或72mΩ（VGS=-4.5V）。体二极管电压的最大值为-1.2V。工作和存储温度范围为-55~175℃，符合工业级温度要求。

ASDM60P25KQ主要参数：

●高密度电池设计可实现超低RDS(ON)

●具有高可靠性、高效率、高EAS能力

●沟道功率低压MOSFET技术

●出色的散热封装

●100%雪崩测试

●BVDSS：-60V

●RDS(on),Typ@VGS=-10V：32mΩ

●ID：-25A

●Vgs=±20V

●提供TO-252-2L封装

ASDM60P25KQ开关电源应用优势

安森德ASDM60P25KQ在应用电路中主要起到开关作用，还有放大、阻抗变换、振荡等作用。

在设计中，很多客户利用MOS管的低导通内阻特点作为开关的比较多。那么在设计开关电源过程中，安森德的P沟道功率MOSFET ASDM60P25KQ具有那些优势呢？

1、ASDM60P25KQ采用TO-252-2L封装，小体积可以减少器件占用的空间成本。

2、ASDM60P25KQ符合RoHS标准，是环保产品，适用于负载开关和电池开关。3、市场应用广泛，市场占有率大，客户认可，产品性能都可满足客户的要求。4、在使用过程中，安森德MOS经久耐用，使用寿命长，能满足各种严苛的环境要求。5、易于并行和简单的驱动，设计起来也比较方便。