onsemi NTLJS17D0P03P8Z P沟道MOSFET的特性与应用分析

作为电子工程师，在设计电路时，MOSFET是常用的功率开关器件。今天我们来深入了解一下 onsemi 推出的 NTLJS17D0P03P8Z 这款 P 沟道 MOSFET，探讨它的特性、应用场景以及相关参数。

文件下载：NTLJS17D0P03P8Z-D.PDF

产品特性

紧凑设计

该 MOSFET 采用 WDFN6 封装，具有小尺寸的特点，占地面积仅为 (4mm^{2})，这对于追求紧凑设计的电子产品来说非常友好，能够有效节省电路板空间。

低导通电阻

具备低 (R_{DS(on)}) 特性，可最大程度地减少传导损耗，提高电路的效率。这在一些对功耗要求较高的应用中尤为重要。

环保合规

这些器件是无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR - Free）的，并且符合 RoHS 标准，满足环保要求。

应用场景

电池管理

在电池管理系统中，NTLJS17D0P03P8Z 可用于控制电池的充放电过程，实现对电池的有效保护和管理。例如，在锂电池充电电路中，它可以作为负载开关，根据电池的状态进行通断控制。

保护电路

可用于过流、过压保护电路中，当电路出现异常时，快速切断电路，保护其他元件不受损坏。

功率负载开关

在需要对功率负载进行开关控制的电路中，该 MOSFET 能够提供稳定可靠的开关功能。

关键参数

最大额定值

Symbol	Parameter	Value	Unit
(V_{DSS})	漏源电压	-30	V
(V_{GS})	栅源电压（稳态）	+25 / -8.4	V
(I{D})（(T{A}=85^{circ}C)）	漏极电流	-5.1	A
(P{D})（(T{A}=25^{circ}C)）	功率耗散	0.86	W
(I{D})（脉冲，(T{A}=25^{circ}C)，(t_{p}=10mu s)）	脉冲漏极电流	未提及	A
工作结温和存储温度		-55 至	(^{circ}C)

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其可靠性。

热阻参数

Symbol	Parameter	Value	Unit
(R_{JA})（稳态，(1in^{2}) 焊盘）	结到环境热阻	52	(^{circ}C/W)
(R_{JA})（稳态，最小焊盘）	结到环境热阻	145	(^{circ}C/W)

实际的连续电流会受到热和机电应用电路板设计的限制，(R_{theta CA}) 由用户的电路板设计决定。

电气特性

关断特性

• (V{(BR)DSS})：漏源击穿电压为 -30V（(V{GS}=0V)，(I_{D}=-250A)）。
• (I{DSS})：零栅压漏极电流在 (T{J}=25^{circ}C) 时为 -1A，在 (T_{J}=125^{circ}C) 时为 -10A。
• (I{GSS})：栅源泄漏电流在 (V{DS}=0V)，(V_{GS}=pm25V) 时为 (pm10A)。

导通特性

• (V{GS(TH)})：栅极阈值电压在 (V{GS}=V{DS})，(I{D}=-250A) 时，范围为 -1.0V 至 -3.0V。
• (R{DS(on)})：漏源导通电阻在 (V{GS}=-10V)，(I{D}=-10A) 时，典型值为 8.6mΩ，最大值为 11.3mΩ；在 (V{GS}=-4.5V)，(I_{D}=-10A) 时，典型值为 14.3mΩ，最大值为 21.3mΩ。

电荷和电容特性

• (C{iss})：输入电容为 1600pF（(V{GS}=0V)，(V_{DS}=-15V)，(f = 1.0MHz)）。
• (C_{oss})：输出电容为 550pF。
• (C_{rss})：反向传输电容为 530pF。
• (Q{G(TOT)})：总栅极电荷在 (V{GS}=-4.5V) 时为 23nC，在 (V_{GS}=-10V) 时为 38nC。

开关特性

• 当 (V{GS}=-4.5V) 时，导通延迟时间 (t{d(on)}) 为 18ns，上升时间 (t{r}) 为 106ns，关断延迟时间 (t{d(off)}) 为 40ns，下降时间 (t_{f}) 为 72ns。
• 当 (V{GS}=-10V) 时，导通延迟时间 (t{d(on)}) 为 9ns，上升时间 (t{r}) 为 18ns，关断延迟时间 (t{d(off)}) 为 85ns，下降时间 (t_{f}) 为 70ns。

漏源二极管特性

• (V{SD})：正向二极管电压在 (T{J}=25^{circ}C) 时，范围为 -0.83V 至 1.3V；在 (T_{J}=125^{circ}C) 时为 -0.7V。
• (t{RR})：反向恢复时间为 32ns，反向恢复电荷 (Q{RR}) 为 10nC。

典型特性曲线

文档中给出了多个典型特性曲线，包括导通区域特性、传输特性、导通电阻与栅源电压关系、导通电阻与漏极电流和栅极电压关系、导通电阻随温度变化、漏源泄漏电流与电压关系、电容变化、栅源与总电荷关系、电阻性开关时间与栅极电阻关系以及二极管正向电压与电流关系等。这些曲线有助于我们更直观地了解该 MOSFET 在不同条件下的性能表现。

订购信息

器件型号为 NTLJS17D0P03P8ZTAG，采用 WDFN6（无铅）封装，以 3000 个/卷带和卷盘的形式发货。

总结

onsemi 的 NTLJS17D0P03P8Z P 沟道 MOSFET 凭借其紧凑的设计、低导通电阻和环保合规等特性，在电池管理、保护电路和功率负载开关等应用中具有很大的优势。电子工程师在设计相关电路时，可以根据其各项参数和典型特性曲线，合理选择和使用该器件，以实现高效、可靠的电路设计。大家在实际应用中，有没有遇到过使用 MOSFET 时的一些特殊问题呢？欢迎在评论区分享交流。