陆芯：IGBT-YGW75N65F1 YGW75N65T1 YGW75N65FP
上海陆芯电子科技有限公司拥有最新一代Trench Field-Stop技术的400V 200A~400A系列IGBT、650V 5A~200A系列IGBT、1200V&1350V 10A~100A系列IGBT，1700V系列IGBT，Hybrid系列IGBT，中压SGT MOS等多个系列产品；性能优异，可靠性和稳定性高，广泛应用于新能源电动汽车、电机驱动领域、高频电源领域、感应加热等领域。
上海陆芯的产品（IGBT、Hybrid、SGT MOS、FRD）包括芯片、单管和模块，具有以下技术优势：
1.优化耐压终端环，实现IGBT高阻断电压，达到工业级和汽车级可靠性标准；
2.控制少子寿命，优化饱和压降和开关速度，实现安全工作区（SOA）和短路电流安全工作区SCSOA性能最优；
3.改善IGBT有源区元胞设计可靠性，抑制IGBT的闩锁效应；
4.调节背面减薄、注入、退火、背金等工艺；实现60um~180um晶圆厚度的大规模量产。
YGW75N65F1 650V 75A TO247对标 英飞凌IKW75N60H3
用于：逆变器/UPS/储能/焊机
YGW75N65T1 650V 75A TO247 对标 英飞凌IKW75N60T
用于：逆变器/UPS/储能/焊机
YGW75N65FP 650V 75A TO247对标 英飞凌IKW75N60H3IKW75N65H5
用于：逆变器/UPS/储能/焊机
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