氮化镓市场前景光明，快充技术越来越平民化
在5G、电动车、电源装置等应用的推动下，第三代半导体材料氮化镓(GaN)产业需求已逐渐升温。
由于对设计、制造业者来说，资金、良率、成本、技术等环节皆为投入GaN领域的考验，因此早期多由欧美IDM业者开始发展，如今，已演变为业界扩大合作，加快产业发展步调，其中稳懋、环宇-KY，以及晶成半导体等台湾厂商将以既有基础优势，立足GaN磊晶与晶圆代工市场。
目前，稳懋RF应用6吋GaN-on-Sic晶圆已量产，环宇-KY则是提供4吋GaN-on-Sic晶圆代工服务，为基地台RF应用，且已有4吋GaN-on-Sic产能，6吋亦已通过认证，供基地台RF应用；至于晶成半导体则提供6吋GaN-on-Sic晶圆代工服务。
在应用端，小米65W氮化镓充电器的发布让氮化镓成了快充行业的一个高频词汇，149元的价格更是创下了行业新低。知名跨境电商品牌RAVPOWER也推出61W的氮化镓快充，仅109元。
从目前市面上在售的其他品牌60W-65W氮化镓快充充电器的售价来看，价格普遍都在149元以上，最高的接近300元。而此次RAVPOWER 61W氮化镓快充仅百元出头，将对氮化镓快充行业带来不小的冲击，不仅将氮化镓快充充电器拉下高价的神坛，还有望推动氮化镓快充的进一步普及。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
氮化镓
+关注
关注
53文章
1504浏览量
114966 -
GaN
+关注
关注
19文章
1767浏览量
68189
发布评论请先 登录
相关推荐
嵌入式会越来越卷吗?
以及大数据处理等技术之间的整合与互动可能会越来越密切。这种融合或许会带来更强大的系统和更广泛的应用，但也会带来新的挑战，如数据安全性和系统稳定性等问题。 嵌入式系统的“卷”涵盖了技术、应用和发展等多方面
发表于 03-18 16:41
IC datasheet为什么越来越薄了？
刚毕业的时候IC spec动则三四百页甚至一千页，这种设置和使用方法很详尽，但是这几年IC datasheet为什么越来越薄了，还分成了IC功能介绍、code设置、工厂量产等等规格书，很多东西都藏着掖着，想了解个IC什么东西都要发邮件给供应商，大家有知道这事为什么的吗？
发表于 03-06 13:55
氮化镓芯片未来会取代硅芯片吗？
降低了产品成本。搭载GaN的充电器具有元件数量少、调试方便、高频工作实现高转换效率等优点，可以简化设计，降低GaN快充的开发难度，有助于实现小体积、高效氮化镓
发表于 08-21 17:06
有关氮化镓半导体的常见错误观念
镓器件大约在2015年推出市场，与具有相同导通电阻和额定电压的硅功率MOSFET相比，其价格更低 。从那时起，产量继续提升、氮化镓器件的价格持续下降、
发表于 06-25 14:17
拆解报告：橙果65W 2C1A氮化镓充电器
支持65W快充，并可支持三台设备同时充电，相当实用。下面就带来这款充电器的拆解，看看内部的用料和做工。
橙果65W氮化镓充电器外观
这款充电器采用时下主流长方体造型，机身主体外壳磨砂
发表于 06-16 14:05
什么是氮化镓功率芯片？
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, po
发表于 06-15 16:03
为什么氮化镓比硅更好？
。
在器件层面，根据实际情况而言，归一化导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（QG）乘积得出的优值系数，氮化镓比硅好 5 倍到 20 倍。通过采用更小的晶体管和更短的电流路径，氮化
发表于 06-15 15:53
为什么氮化镓(GaN)很重要？
氮化镓(GaN)的重要性日益凸显，增加。因为它与传统的硅技术相比，不仅性能优异，应用范围广泛，而且还能有效减少能量损耗和空间的占用。在一些研发和应用中，传统硅器件在能量转换方面，已经达到了它的物理
发表于 06-15 15:47
什么是氮化镓（GaN）？
氮化镓，由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，氮化
发表于 06-15 15:41
氮化镓功率芯片如何在高频下实现更高的效率？
桥式拓扑结构中放大了氮化镓的频率、密度和效率优势，如主动有源钳位反激式（ACF）、图腾柱PFC 和 LLC（CrCM 工作模式）。随着硬开关拓扑结构向软开关拓扑结构的转变，初级 FET 的一般损耗方程可以被最小化。更新后的简单方
发表于 06-15 15:35
氮化镓功率芯片的优势
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。
更快：氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
发表于 06-15 15:32
谁发明了氮化镓功率芯片？
，是氮化镓功率芯片发展的关键人物。
首席技术官 Dan Kinzer在他长达 30 年的职业生涯中，长期担任副总裁及更高级别的管理职位，并领导研发工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化
发表于 06-15 15:28
工商网监
评论