安世半导体宣布推出最低导通阻抗，且优化关键性能的LFPAK56和LFPAK33封装MOSFET

同时优化了安全工作区、漏极电流和栅极电荷荷兰奈梅亨--(美国商业资讯)--Nexperia(安世半导体)，分立器件、逻辑器件和 MOSFET 器件的全球领导者，今日宣布其已采用 Trench 11 技术实现具有史上最低导通阻抗的 NextPower S3 MOSFET，该项突破并不影响其他......

同时优化了安全工作区、漏极电流和栅极电荷
荷兰奈梅亨--(美国商业资讯)--Nexperia(安世半导体)，分立器件、逻辑器件和 MOSFET 器件的全球领导者，今日宣布其已采用 Trench 11 技术实现具有史上最低导通阻抗的 NextPower S3 MOSFET，该项突破并不影响其他重要参数，例如漏极电流 (ID(max))、安全工作区域 (SOA) 或栅极电荷 QG。
很多应用均需要超低导通阻抗，例如 ORing、热插拔操作、同步整流、电机控制与蓄电池保护等，以便降低 I?R 损耗并提高效率。然而，具备类似导通阻抗的一些同类器件，由于缩小晶圆单元间隔，其SOA(评估MOSFET耐受性的性能)和最大ID额定电流需要降额。安世半导体 的 PSMNR58-30YLH MOSFET 的最大导通阻抗仅 0.67 欧姆，其最大额定漏极电流提升至380A。该参数对电机控制应用尤为重要，因为电机堵转的瞬间会产生超大电涌，MOSFET 必须可以承受这些电涌，才能确保安全可靠运行。一些竞争对手仅提供计算出的 最大ID电流，但安世半导体产品实测持续电流能力高达 380 安培，并且 100% 最终生产测试的持续电流值高达 190 安培。
该器件支持 LFPAK56 (Power-SO8) 和 LFPAK33 (Power33)封装，二者均采用独特的铜夹结构，可吸收热应力，提升质量和可靠性。LFPAK56 封装的 PSMNR58-30YLH， (安世半导体 的 4 引脚 Power-SO8 封装)其安装尺寸仅 30 平方毫米，管脚间距 1.27 毫米。
安世半导体的 Power MOSFET 产品经理 Steven Waterhouse 先生表示：“安世半导体结合其独有的 NextPowerS3 超结技术与 LFPAK 封装，提供了具有低导通阻抗、高额定 ID 最大电流的 MOSFET，同时不影响其SOA等级、质量和可靠性。这使新元件充分满足要求高性能、高可靠性和高容错性的应用需求。”其中包括无刷直流 (BLDC) 电机控制（全桥式三相拓扑）；ORing 服务器电源、热插拔操作和同步整流；蓄电池保护；手机快速充电和直流负荷开关。
关于新款低导通阻抗 MOSFETS 的更多信息（包括产品规格和资料表）见Nexperia 是全球领先的分立元件、逻辑元件与 MOSFET 元件的专业制造商，其前身为恩智浦的标准产品部门，于 2017 年初开始独立运营。Nexperia 注重效率，生产稳定可靠的半导体元件，年产量超过900 亿件。Nexperia 工厂生产的小型封装也是业内领先，不仅具有较高的功率与热效率，还是同类品质之最。
五十多年来，Nexperia 一直为全球各地的大型公司提供优质产品，并在亚洲、欧洲和美国拥有超过 11,000 名员工。该公司拥有庞大的知识产权组合，并获得了 ISO 9001、IATF 16949、ISO14001 和 OHSAS18001 认证。

审核编辑黄宇