安世半导体推出NEX10058三通道AMOLED偏置电源IC

安世半导体近日推出 NEX10058 三通道AMOLED偏置电源IC。该款新品专为满足快速增长的AMOLED显示屏的复杂系统要求而设计，旨在帮助客户轻松实现更高亮度、更长电池寿命和更优的系统效率。NEX10058完美地扩展了安世成熟的显示电源IC产品组合，直接赋能中高端智能手机市场。

NEX10058作为一款3通道偏置电源芯片，核心价值在于解决了AMOLED设计中对高电流承载能力和超低功耗的严苛需求。它能够完美适配主流品牌的AMOLED智能手机设计。

产品优势

突破小封装高亮度电流瓶颈

在户外或者强光下的AMOLED显示屏显示清晰的画面内容需要更高的亮度（如1600nits），这对偏置电源的输出能力提出了更高要求。 NEX10058提供高达1A 的输出电流能力，远超竞品普遍的600-800mA，确保系统在全功率运行时依然稳定可靠。

极致能效，显著延长电池寿命

AMOLED手机用户高度关注续航。NEX10058通过革命性的低导通电阻设计，显著降低功耗。相比主要竞争对手，导通损耗降低近一半，直接转化为更长的设备使用时间，特别是在暗色内容显示场景中。

兼容最新DDIC标准，设计无忧

面对最新的显示驱动IC（DDIC）规范，兼容性至关重要。NEX10058完全兼容最新的双路1.2V单线逻辑电压要求，确保与新一代智能手机DDIC无缝对接，避免了复杂的电平转换电路。

适应下一代电池技术

为支持更先进的电池技术，NEX10058具备更宽泛的输入电压支持。低至2.5V的宽输入电压支持，能够更好地适应硅负极电池等新型电池的低电压需求，提高整个系统的能效。

产品特性

输入电压范围：2.5V – 5.0V

输出电压：

· ELVDD：4.6V ~ 5.0V

· ELVSS：-6.6V ~ -0.5V

· AVDD：6.9V ~ 7.9V (7.1V ~ 7.8V)

ELVDD-ELVSS 组合输出电流能力：

· 1A @ Vin=3.2V, ELVDD=4.6V, ELVSS=-5.5V

· 1A @ Vin=2.9V, ELVDD=4.6V, ELVSS=-4.0V

· 0.8A @ Vin=2.5V, ELVDD=4.6V, ELVSS=-4.0V

AVDD 输出电流能力：150mA

1.45MHz高开关频率

兼容双1.2V逻辑 SWIRE 接口

丰富的保护功能：UVLO, SCP, OTP

WLCSP 25球封装: 1.965mm*1.965mm*0.6mm

典型应用

NEX10058实现与现有主流竞品的 BOM（物料清单）对BOM 兼容，同时在关键性能指标上实现超越. 凭借卓越的性能和极具竞争力的成本结构，NEX10058在AMOLED智能手机市场中具备极强的竞争力。

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