利用高效的UnitedSiC共源共栅SiC FET技术实现99.3%的系统能效

概览

CleanWave200采用UnitedSiC共源共栅FET，能够在100kHz的频率下实现99.3%的系统能效，且每个开关位置并联三个器件。

好处

不需要栅极驱动电路

显著降低死区时间损耗

所需驱动功率更少

让人更专注于Pre-switch核心技术

利用高效的UnitedSiC共源共栅SiC FET技术证明Pre-Switch解决方案在高频电动车开关中的效率。

Pre-Switch是硅谷初创公司，专注提升电动车传动系统的效率和降低成本，方法是在高压（500-900V）分立器件中支持更高的开关频率、降低dV/dT和改进电流分流。该公司使用人工智能控制强制性谐振回路，以确保即使在输入电压、器件降级、设备温度和负载发生动态变化时系统中也能实现软开关。

解决方案

新开发的Pre-Switch CleanWave200是200kW的3相直流转交流功率器件，用于评估Pre-Switch的软开关技术。该系统使用由先进的人工智能控制的强制谐振ARCP电路，基本可以消除开关损耗。该技术还允许开关频率位于50kHz至100kHz范围内，为客户提供更纯粹的正弦波、更高的电动机效率、更低的电磁干扰和更小的直流母线电容。在UnitedSiC提供测试样本协助Pre-Switch的早期开发后，Pre-Switch围绕UJ3C120040K3S 35mΩ SiC共源共栅配置的FET设计出了新的CleanWave200。

【图1.Pre-Flex 3设计】

好处

与其他竞争性的SiC MOSFET相比，UnitedSiC的共源共栅FET器件“物超所值”。在结合了Pre-Switch的技术和UnitedSiC的性价比优势后，末端系统为Pre-Switch的客户提供了更低成本的解决方案，并开创了在汽车评价系统的直流/交流逆变器应用中使用UnitedSiC器件的先河。

减少忧虑，更加专注

与其他竞争性SiC MOSFETS 相比，UnitedSiC器件的V(GS) 输入范围广，V(GS, th)高。这允许Pre-Switch专注于核心技术和系统优势，而非担忧设计栅极驱动电路。

功率更低

UnitedSiC器件的低Q(g)意味着驱动它们所需的功率较低，尤其是在100kHz下。

降低了死区时间损耗

在自谐振边沿转换期间，由于二极管导电，可能出现一些死区时间损耗。竞争对手的典型SiC MOSFET体二极管V(f) = 3-4V，而UJ3C120040K3S的规格低得多，为V(f) = 1.5V。所以，竞争对手产品的损耗比UnitedSiC的多3倍左右。

性能数据

【图2. 效率与电流】

审核编辑：郭婷