MOSFET的低开关损耗在集成电路中应用

MOSFET特征

在功率半导体器件中，MOSFET以高速、低开关损耗、低驱动损耗在各种功率变换，特别是高频功率变换中起着重要作用。在低压领域，MOSFET没有竞争对手，但随着MOSFET的耐压提高，导通电阻随之成倍增长，MOSFET耐压和导通电阻的正比增长，制造者和应用者不得不以成倍的成本来解决MOSFET电压与电流间的矛盾。即便如此，平面高压MOSFET在额定结温下的导通电阻仍居高不下，耐压500V以上的MOSFET 的额定结温、额定电流条件下的导通电阻很高，耐压800V以上的导通电阻更是高得惊人，导通损耗占MOSFET总损耗的2/3-4/5，使应用受到极大限制。

MOSFET的低开关损耗在集成电路中应用

MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。例如N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，当VGS电压达到MOSFET的开启电压时，MOSFET导通等同开关导通，有IDS通过，实现功率转换。而MOSFET开关频率则受栅源电压频率控制，从而实现频率转换。低开启的MOSFET的开启电压，仅需要零点几伏，开启电流也仅几毫安，导通损耗非常低，因此常用于大规模集成电路。

MOSFET频率特征在开关电源中应用

在开关电源结构中，交流电经防雷单元，防辐射滤波单元等电路后进入桥堆整流，在整流输出端得到约交流电压的1.4倍的直流电压，经高频变压器初级绕组，到MOSFET漏级，栅极则受驱动芯片或可调频的驱动电路控制而高频开关导通，产生高频脉冲的漏源电流，从而在高频变压器的次级绕组中产生的感应电流经高频整流后为负载供电，高频变压器次绕组中产生的电压与绕组匝数相关。因此，改变开关电源电路中元器件的规格和高频变压器的结构和型号，可为不同场合、不同功率的电路供电。

高压MOSFET系列

公司简介

MDD是国内少数采用了“Fabless+封装测试”模式的半导体品牌，15年的行业深耕，一直专注于半导体领域。在科技研发与创新的基础上，积累了厚实的研发设计能力，同时还建立全流程的封装测试产线（涵盖封装测试、成品测试等多项）。为客户提供MOSFET、SiC、功率二极管及整流桥等高品质的半导体分立器件产品。

MDD致力满足客户高品质需求，目前产品已广泛应用于汽车电子、新能源、工控、电源、家电、照明、安防、网通、消费电子等多个领域，并具有UL、RoHS和REACH等多项认证，可为客户提供可靠、优质和定制化的半导体解决方案商。

自成立以来，MDD 先后在国内外斩获百余项的专利与荣誉，业务覆盖全球40多个国家，同时享有国内外各电子领域企业的良好口碑。

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