3D pSLC NAND弥合了5G基站设计人员与DDR5的差距

与4G相比，毫无疑问，5G的性能远远超过其前身。它提供更高的峰值数据速度（高达 20Gbps）、超低延迟、更高的可靠性、巨大的网络容量、更高的可用性和更统一的用户体验。

但随着5G的好处而来的是某些挫折。例如，研究公司Omdia的下一代基础设施实践负责人Daryl Schoolar指出，5G的“更高频段，如3.5 GHz或mmWave.。..。.不要穿透建筑物以及较低的频段。

这些高频无线电波导致的衍射能力差、容易损耗和覆盖面积减小，这意味着5G小型蜂窝的数量将是4G时代的两到三倍。事实上，Schoolar预计未来五年5G基站的复合年增长率将达到74.8%。

部署更多的小基站必然意味着需要更多的大容量内存来管理网络负载增加产生的大量临时存储数据以及 5G 应用的实时计算要求，例如车联网 （V2X） 连接、机器人控制和增强/虚拟现实;以及随后临时存储的数据。

5G网络数据的小文件大小以及频繁的写入要求意味着5G基站内存必须以具有竞争力的价格提供快速的速度和大量的编程/擦除（P / E）周期。凭借其更高的密度，3D NAND闪存正在成为这些部署的首选技术，Silicon Power Computers & Communications，Inc.的Anthony Spence解释说。

Spence说：“通常情况下，我们有［网络］客户希望购买P/E周期在60K范围内的产品，就像传统SLC提供的产品一样。“然而，随着传统2D闪存变得稀缺，价格开始上涨，客户和供应商都在适应这种情况，这就是pSLC 3D NAND闪存的用武之地。

“pSLC能够以更便宜的成本提供高水平的耐用性，接近SLC的耐用性，”他补充道。

伪单级单元 （pSLC） 闪存是一种多级单元 （MLC） 存储器衍生产品，在 SLC 和 TLC 解决方案之间提供了中间地带。该技术更快、更可靠，并提供比传统MLC或TLC存储器更高的P / E周期数，Silicon Power的pSLC 3D NAND器件提供30K写入/擦除周期（超过3D TLC NAND的10倍）。同时，它的成本也比SLC闪存低得多，Silicon Power报价至少节省了86%的成本（图1）。

图1.SLC、MLC、TLC 和 pSLC 内存特性的比较。

pSLC，其中“p”代表性能密度

从5G基站设计的角度来看，Spence解释说，3D pSLC NAND闪存的性能密度提供了能够在不牺牲面积的情况下增加容量的优势。

“5G基站比4G前辈有更高的要求，这意味着密度很重要，”他说。“NAND闪存能够提供更高的存储容量，因此，例如，如果您希望与16 GB SLC解决方案的60K P / E耐用性相当，则可以使用32GB 30K pSLC。

“ECC-SODIMM或高端SORDIMM DRAM模块等小尺寸使［网络工程师］能够满足他们的性能需求，而无需牺牲太多空间。

Silicon Power 提供一系列采用 UDIMM、SODIMM、ECC-SODIMM 和其他外形尺寸的高速工业级 DDR4-2666 DRAM 模块。

为了进一步提高其3D pSLC NAND闪存解决方案的可靠性，Silicon Power提供了广泛的温度存储器变体，以及定制选项，例如部署在制造和其他有毒环境中或附近的基站的抗硫性。

其内存产品还得到该公司的SMART IoT工具箱的支持，该应用程序允许网络工程师远程监控存储设备的运行状况和状态。这使他们能够在组件发生故障之前进行干预并保持网络正常运行时间。

5G 需要 DDR5 吗？它可能等不及了。

下一代DDR5规范计划在今年某个时候由JEDEC发布，但目前仍在进行修订。新标准有望将带宽翻倍，同时降低整体功耗，这对5G基站开发人员来说无疑是一个福音。

但即使标准发布临近，工业界也需要数年时间才能完善技术，以满足5G基站所需的可靠性、性能和价格范围。正如Schoolar所指出的那样，亚太地区预计将占5G市场的64%左右，该地区已经在迅速推动中国制造2025等计划，将5G定义为“战略性新兴产业”。

那么DDR5是当今5G基站开发人员的答案吗？目前，答案是“还没有”。

一个好的选择似乎是选择先进的DDR4技术，3D pSLC NAND闪存的正确平衡。

审核编辑：郭婷