输入电压如何影响固态驱动器

智能交通系统 （ITS）、乘客信息系统 （PIS） 和其他车载应用（如视频监控和数据记录）有时会产生不稳定的电压供应。嵌入式 SSD 可能会受到这些不稳定输入电压的负面影响。

那么，输入电压究竟如何影响SSD的NAND闪存呢？

在这里，原始误码率（RBER）很重要。RBER是纠错码（ECC）之前的误码率，它反映了NAND闪存的初始可靠性。RBER 越高，NAND 闪存的可靠性越低。

为了说明这一点，下面给出了五个示例，每个示例都有0.3V的电压波动。

图1.我们的控制图显示了NAND闪存的3.3V至3.6V电源，在0.3V偏移范围内波动。

Figure 2. When set to the standards NAND flash voltage range of 2.7V to 3.0V， the RBER is 10^（-5.850， which is in the normal range.

图3.当接收3.6V至3.9V输入时，REBER增加到10^-5.845。

图4.当电压增加到3.9V至4.2V时，RBER增加到10^（-5.832）。

图5.当将电源电压设置为 4.2V 至 4.5V 时，RBER 继续增加至 10^ （-5.823）。

如前所述，一般来说，输入电压越高，RBER 越高，对 SSD性能的影响越大。

Renice 的 SSD 解决方案采用针对每个 SSD 的可接受电压范围量身定制的专用电路进行设计，可确保在极端或恶劣环境中的性能和可靠性。

审核编辑：郭婷