LM5110 双通道栅极驱动器以改进的峰值取代了行业标准栅极驱动器 输出电流和效率。每个“复合”输出驱动器级包括 MOS 和双极 并联工作的晶体管,共同从容性负载吸收超过 5A 的峰值电流。 结合 MOS 和双极器件的独特特性,减少驱动电流变化 电压和温度。独立的输入和输出接地引脚提供负驱动 该功能允许用户使用正和负 VGS 电压驱动 MOSFET 栅极。这 栅极驱动器控制输入以专用输入接地 (IN_REF) 为基准。栅极驱动器 输出摆幅从 V 开始抄送到输出接地 VEE 系列哪 相对于 IN_REF 可以是负数。欠压锁定保护和关断输入引脚 。驱动器可以在输入和输出连接到 驱动电流能力翻倍。该器件采用 SOIC-8 封装,采用 热增强型 WSON-10 封装。
*附件:lm5110.pdf
特性
- 独立驱动两个 N 沟道 MOSFET
- 复合 CMOS 和双极输出可减小输出电流变化
- 5A 灌电流/3A 拉电流能力
- 两个通道可以并联,以实现双倍的驱动电流
- 独立输入(TTL 兼容)
- 快速传播时间(典型值为 25ns)
- 快速上升和下降时间(14n/12ns 上升/下降,负载为 2nF)
- 专用输入接地引脚 (IN_REF) 用于双电源或单电源作
- 输出摆幅从 V 开始
抄送到 VEE 系列相对于 input ground 可以是负数 - 提供双通道同相、双通道反相和组合配置
- 停机输入提供低功耗模式
- 电源轨欠压锁定保护
- 引脚排列与行业标准栅极驱动器兼容
- 包:
- SOIC-8 封装
- WSON-10(4 毫米× 4 毫米)
参数
方框图
一、产品概述
LM是一款双A复合栅极驱动器,具有负输出电压能力。它专为独立驱动两个N沟道MOSFET设计,适用于同步整流器、开关模式电源、电磁阀和电机驱动器等应用。
二、主要特性
- 高电流驱动能力:每个输出通道可提供A的峰值沉电流和A的峰值源电流。
- 复合输出结构:结合了CMOS和双极型晶体管,优化了宽输出电压和温度范围内的电流能力。
- 负输出电压能力:输出电压范围从VCC到VEE,VEE可以相对于输入地IN_REF为负值。
- 独立输入:TTL兼容逻辑输入,适用于独立控制两个输出通道。
- 快速传播时间:典型值为ns,快速上升和下降时间分别为ns和ns(nF负载)。
- 关断输入:提供低功耗模式,通过SHDN引脚控制。
- 欠压锁定保护:防止VCC电压过低时驱动器误操作。
三、引脚功能
- IN_REF:输入地参考引脚,用于连接输入控制信号的参考地。
- IN_A/IN_B:控制输入A和B,TTL兼容逻辑输入。
- VEE:输出地引脚,连接MOSFET栅极驱动的负电源。
- VCC:正电源引脚,为驱动器提供工作电压。
- OUT_A/OUT_B:输出A和B,用于驱动MOSFET栅极,输出电压范围从VCC到VEE。
- SHDN:关断输入引脚,低电平有效,用于启用/禁用驱动器。
四、电气特性
- 工作电压范围:VCC对IN_REF的电压差为.V至V。
- 静态电流:正常工作时为mA,关断模式下小于μA。
- 输出电阻:高电平输出电阻典型值为Ω至Ω,低电平输出电阻典型值为.Ω至.Ω。
- 传播延迟:低电平到高电平和高电平到低电平的传播延迟典型值均为ns至ns。
五、应用信息
- 典型应用:包括同步整流器、开关模式电源、电磁阀和电机驱动器等。
- 设计注意事项:需根据应用需求选择合适的VCC和VEE电压,以及考虑驱动电流和功率耗散。在布局时,应尽量减少输入和输出引脚的寄生电感,以降低噪声和干扰。
六、布局与热管理
- 布局指南:推荐在VCC和VEE引脚之间使用低ESR/ESL的旁路电容,并尽量靠近IC放置。输入和输出信号路径应尽可能短,以减少噪声和干扰。同时,应注意接地设计,以避免地回路带来的问题。
- 热管理:LM提供SOIC-和WSON-两种封装选项,其中WSON-封装具有更好的散热性能。在设计时,应考虑散热路径和散热片的使用,以确保IC结温不超过最大允许值。
七、封装与订购信息
- 封装类型:SOIC-和WSON-。
- 订购代码:具体订购代码请参考数据手册中的订购信息部分。
八、文档与支持
- 数据手册:提供了详细的技术规格、电气特性、应用信息和封装尺寸等。
- 应用指南:可能包含额外的设计考虑、布局示例和故障排除技巧。
- 社区资源:TI提供了EE在线社区和其他支持资源,方便用户交流问题和经验。
九、安全警示
- 静电放电(ESD)防护:提醒用户在存储或处理过程中注意静电防护,以防止损坏器件。
- 使用注意事项:用户应仔细阅读数据手册中的安全警示和使用注意事项,确保正确、安全地使用产品。
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