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集成碲镉汞长波320×256偏振探测器的设计

MEMS 来源:MEMS 作者:MEMS 2022-11-10 15:09 次阅读
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红外探测器已经得到了广泛的应用,近年来,对红外探测器的探测、识别能力提出了更高的要求,迫切需要红外探测器进行创新发展。随着微电子工艺的快速进步,使多种功能的芯片集成在红外探测器上成为可能,也为红外探测器进行创新提供了基础。将偏振探测的功能集成到碲镉汞红外探测器中,是提高碲镉汞红外探测器的识别能力、拓展其用途的一个发展方向。

据麦姆斯咨询报道,近日,华北光电技术研究所的研究人员在《激光与红外》期刊上发表了题为“长波碲镉汞集成偏振探测器的设计”的最新论文,本文介绍了偏振探测功能在长波碲镉汞探测器上的集成设计、相应的设计验证结果以及成像试验情况,这些工作的介绍为集成红外探测器的开发提供了良好的借鉴。

集成碲镉汞长波320×256偏振探测器的设计

碲镉汞长波320×256探测器是在碲锌镉衬底上外延碲镉汞薄膜,形成碲镉汞芯片,然后碲镉汞芯片与读出电路通过铟柱互连后形成混成芯片,芯片的中心间距为30μm,红外辐射从碲锌镉衬底背面入射。集成碲镉汞长波320×256偏振探测器是在碲镉汞混成芯片的背面设计偏振结构,如图1所示,偏振结构采用金属线光栅,根据斯托克斯矢量,设计了0°、45°、90°、135°四个偏振态,四个偏振态周期排列,与长波320×256混成芯片的像元一一对应。

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图1 集成碲镉汞偏振芯片示意图

集成碲镉汞长波320×256偏振探测器组件的测试及成像

对集成碲镉汞长波320×256偏振探测器的偏振结构进行了设计及验证后,按照文中设计对已经制备的碲镉汞长波320×256混成芯片进行衬底减薄,减薄后采用磁控溅射设备进行偏振光栅金属层的生长,然后进行光刻、刻蚀工艺,制备出具有0°、45°、90°、135°四个不同偏振态的偏振光栅,如图2所示,在扫描电镜下观察,偏振光栅的形貌、尺寸接近设计值。

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图2 扫描电镜下观察的LW320×256碲镉汞集成偏振光栅

将制备的集成碲镉汞长波320×256偏振探测器芯片(如图3)封装为微杜瓦组件,在红外探测器组件偏振测试平台上进行测试,测试中所用的红外起偏偏振器消光比为7000:1、在长波段的透过率>75%。

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图3 集成碲镉汞长波320×256偏振探测器实物图

由于红外集成偏振探测器组件加入了偏振结构,辐射能量减小了50%以上,使探测器芯片的响应变弱,在组件测试过程中,为了保证一定的信号强度,采取了加长积分时间的方式。经过测试,得到偏振探测器0°、45°、90°、135°四个偏振态的响应曲线,如图4所示,从响应的幅度看,四个偏振态的响应幅度有三个方向一样,另外一个方向稍小,而从计算结果看,四个偏振态的消光比均可以达到70以上,说明制备工艺相对较好。

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图4 集成碲镉汞长波320×256偏振组件四个偏振态响应曲线

对制备的集成碲镉汞长波320×256偏振探测器组件进行了成像演示试验,试验截取的图像如图5所示,图像中间是一只透明玻璃杯,图像左侧是一个长吊带的奖牌,从图像中可以看出,虽然使用的试验芯片性能较差、图像未经去噪声、融合等处理,但玻璃杯的外形轮廓非常明显,长吊带的奖牌中吊带和奖牌的纹路也可以简单识别出来,显示了集成碲镉汞长波320×256偏振探测器对物体轮廓良好的识别效果,也验证了本文所介绍的设计方向是可行的。

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图5 集成碲镉汞长波320×256偏振探测器组件成像图

结论

将偏振探测的功能集成到碲镉汞红外探测器中,是提高碲镉汞红外探测器的识别能力、拓展其用途的一个发展方向,本文介绍的集成碲镉汞长波320×256偏振探测器的设计,是开发此类探测器的一个初步的研制结果,设计中,采用以金、铬为主的多种金属材料设计偏振光栅,偏振光栅在长波段的透过率可以超过75%、消光比可以达到上千的数值,偏振性能设计值非常好,但在实际验证的过程中,由于设备、工艺的限制,可实现的设计值大打折扣,后续需要在光栅金属材料选择、设计值的工艺实现方面做更多、更细致的工作,找到集成碲镉汞长波320×256偏振探测器设计的更优结果,为用户提供性能优良的集成碲镉汞红外偏振探测器组件。

审核编辑 :李倩

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原文标题:华北光电技术研究所在长波碲镉汞集成偏振红外探测器方面取得进展

文章出处:【微信号:MEMSensor,微信公众号:MEMS】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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