CG2H80060D C波段GaN HEMT管芯CREE
Wolfspeed的CG2H80060D是种氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。与硅或砷化镓相比较，GaN具备优异的性能指标；CG2H80060D包含更高的击穿场强；更高的饱和电子漂移速率；及其更高的导热系数。与Si和GaAs晶体管相比较，CG2H80060D具备更多的功率密度参数和更宽的网络带宽。
特征
60W典型的PSAT
28V操控
高击穿场强
高温度操控
最高的8GHz操控
效率高
应用
双重专用型收音机
宽带放大器
蜂窝基础设施建设
测试设备
ClassA；AB；主要用于OFDM的线性放大器；W-CDMA；边缘；CDMA波型
CREE（科锐）成立于1987年，CREE科锐具备30多年的宽带GAP原材料和创新产品，CREE科锐是一个完整的设计合作伙伴，符合射频的需求，CREE科锐为行业内技术领先的机器设备提供更强的功率和更低的功能损耗。CREE科锐由最开始的GaN基材LED产品技术领先全世界，到微波射频与毫米波芯片产品，CREE科锐于2017年分离出微波射频品牌Wolfspeed，以宽带、大功率放大器产品为特色。
深圳市立维创展科技是CREE的经销商，拥有CREE微波器件优势供货渠道，并长期库存现货，以备中国市场需求。
| Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
| CG2H80060D-GP4 | GaN on SiC | DC | 8 GHz | 60 W | >12 dB | 70% | 28 V | Discrete Bare Die | Die |
审核编辑：汤梓红
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