7N65D封装选型指南

01、产品特点

低导通电阻：RDS(ON)≤1.4Ω(VGS=10V)

低栅极电荷:Qg=30nc(Typ)

低输入结电容：Ciss=1400PF

快速开关特性：T(on)~T(off) ≤400ns

100%雪崩测试

02、应用方案

MDD推出的MDD7N65D这款功率MOSFET，采用VDMOS芯片技术，具有高耐压、驱动功率小、导通电阻低、卓越的开关特性和电容特性，可满足应用中各种频率、能效要求、EMI要求，广泛应用于中小功率开关电源电路中的PFC电路、开关电路、同步整流电路中，同时，采用TO-252的贴片封装技术，可满足客户端SMT自动化生产需求，也可减小应用端产品设计尺寸。因此，在中小功率的适配器、充电器、LED驱动电源等消费类电子产品中，均可发现这款MOSFET的身影。

03、规格参数

04、公司简介

MDD是国内少数采用了“Fabless+封装测试”模式的半导体品牌，15年的行业深耕，一直专注于半导体领域。在科技研发与创新的基础上，积累了厚实的研发设计能力，同时还建立全流程的封装测试产线（涵盖封装测试、成品测试等多项）。为客户提供MOSFET、SiC、功率二极管及整流桥等高品质的半导体分立器件产品。

MDD致力满足客户高品质需求，目前产品已广泛应用于汽车电子、新能源、工控、电源、家电、照明、安防、网通、消费电子等多个领域，并具有UL、RoHS、SGS和REACH等多项认证，可为客户提供可靠、优质和定制化的半导体解决方案商。

自成立以来，MDD 先后在国内外斩获百余项的专利与荣誉，业务覆盖全球40多个国家，同时享有国内外各电子领域企业的良好口碑。

审核编辑：郭婷